In poche parole:
L' ossido che isola il gate flotante con i cicli di cancellazione/scrittura si deteriora e perde l' isolazione facendo scaricare la carica portata sul gate flotante.
Questo vuiol dire che la cella di memoria non si rompe di botto ma perde dopo un po di tempo il suo stato logico quando sono immagazinati elettroni sul gate. Qusto si verifica solo se lo stato logico che corrisponde la presenza di elettroni sia memorizzato in quella cella (non scrivo H o L perchße dipende dalla tipo di cella). Se in quella cella viene memorizzato lo stato logico senza cariche il valore é stabile e la cella di memoria funziona senza dare problemi. Se in quel bit viene memorizzato lo stato logico che corrisponde a delle cariche queste possono scaricarsi dopo un po di tempo.
La seconda possibilitá di deterioramento é che dei elettrodi si bloccano al'interno del ossido e blocca la possibiltá di mettere cariche sul gate floante.
La cosa si peggiora quando si usano celle multilevel dove a secondo della quantitá di carica immessa sono memorizzato piú di un bit.
Ciao Uwe