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[Reply #15 on:]

Hallo zusammen,

gestattet mir dazu eine Frage:

ich bin bisher auch immer direkt ans Gate des FET (wie in obiger Zeichnung) gegangen, habe aber kürzlich gelesen, daß man besser einen kleinen Vorwiderstand mit ca. 20-50 Ohm ans Gate schalten sollte - andererseits sich die Experten in diversen Foren darüber aber auch nicht so einig sind.

Eigentlich wäre es einleuchtend, denn durch die kapazitive Wirkung des Gates fliesst aufgund der anfänglichen Ladung  ein hoher Strom, der den Ausgang am Atmel zu stark belasten könnte - oder sehe ich das falsch ?

Danke und Gruß, mmi.

[Reply #16 on:]

Das siehst Du richtig.

Aber ein zu groß dimensionierter Widerstand lädt das Gate zu langsam und für diese Ladedauer ist der MOSFET im Proportionalbereich. Darum hat er viel Verlustleistung die ihn erwärmt und unter Umständen bei höheren Schaltfrequenzen zerstört.

Grüße Uwe

[Reply #17 on:]

Danke Uwe.

Wie groß sollte dann der Widerstand z.B. mit einem BUZ11 bzw. äquivalentem IRF-Typ bei z.B. bis zu 200 Hz PWM sein, um den Ausgang am Atmel zu schützen. Ich denke mal, ca. 10 Ohm reichen, oder? 

[Reply #18 on:]

Den Minimalwert errechnest Du aus dem max zulässigen Ausgangsstrom des Arduino-pins: 40mA bei 5V.
5V/40mA = 125Ohm.
So begrenzt der Widerstand den Strom im Einschalt/Ausschaltmoment des Mosfets, wenn der GATE-SOURCE Kondensator noch nicht, oder noch voll geladen ist und die volle Spannungdifferenz von 5V da ist.
Das Problem mit der Einschaltverzögerung und darum Erhöhung der Verlustleistung hast Du über 10kHz.
Grüße Uwe

[Reply #19 on:]

Insbesondere das "Limit" bei ca. 10 kHz war mir wichtig zu wissen,
nochmals besten Dank, Uwe !