hbachetti:
C'est dommage, pepe n'est plus là ...
Je ne vais pas avoir de critiques
Pas de problème pour le remplacer 
Je pense que si on a lu mon tuto Le Transistor bipolaire ou MosFet simplifié , il est plus simple de choisir un transistor bipolaire qu'un MosFet
Concernant l'utilisation d'un MosFet à des courants extrêmement faibles devant son courant max la documentation est peu nombreuse et difficile à trouver parce que ce n'est pas un cas d'utilisation normal.
Néanmoins je suis tombé une fois sur un document Sony qui montrait qu'à très faible courant le Rdson augmentait très rapidement. Malheureusement je ne retrouve plus ce document mais en y réfléchissant de près c'est parfaitement possible.
Conclusion : au détail près (AMHA bipolaire plus facile qu'un Mosfet) nous sommes d'accord qu'à courant inférieur à 500 mA un transistor bipolaire est préférable à un transistor MosFet ( ouf ).
Sans compter que le Vcesat d'un T_bip est composé de deux facteurs : l'un est une vraie tension constante , l'autre est d'origine ohmique. Le Vcesat donné dans les datasheets est toujours donné au courant max, c'est donc une valeur max et dans le cas réel le Vcesat sera inférieur.