hbachetti:
Etonnant.
D'après la datasheet : 3V maxi.
Il faut voir du coté de Rdson.
Les meilleures performances sont pour Vgs = 10 V --> tout ce qu'il y a de plus classique pour xFet.
Si on regarde page 4 figure 2 on voit que le RDSon à Vgs = 5V et ID = 0,5A est 1,8 fois supérieur à la valeur pour Vgs = 10 V
En pulsé avec un courant de 1,2 A on sort de l'épure et la valeur est exponentielle : dizaines d'ohms ? centaines d'ohms ?
Figures 3, 4 , 5 les courbes sont uniquement données pour Vgs = 10 V
C'est du classique, pour faire une datasheet avantageuse les fabricants ne mettent pas en avant tous les paramètres de la même façon, il faut lire entre les lignes.
Ce n'est pas pour autant que ce transistor n'est pas fonctionnel à Vgs = 5V.
Tout dépend comment on exploite une datasheet.
La question qu'il faut se poser c'est jusqu’où on peut "flirter" avec les marges et c'est ici que s'exprime la valeur ajoutée d'un développeur de terrain.
Rdson nominal = 1,2 ohms pour Vgs = 10 volts et Id = 0,5A.
Pour Vgs = 5V et conditions identiques Rdson "monte" à 2,1 ohms.
Est-ce acceptable ?
Que constate-t-on ?
A Vgs =10V , Id = 0,5A la chute de tension VDS = 0,6 Volts
A Vgs = 5V , Id = 0,5A la chute de tension VDS = 1 Volt
En valeur max de Rdson (possible mais statistiquement peu probable) on obtient 2,5V de perte dans le transistor à Vgs = 10 v et 4,5V à Vgs = 5V
Est-ce acceptable : à I = 500 mA AMHA ce n'est pas acceptable que Vgs vaille 10V ou 5V.
En mode interrupteur ce transistor n'est bon qu'à des courants max = 0,1 A.
Transistor bipolaire :
Je suis totalement le raisonnement d'hbachetti : à Ic = 0,5A on peut trouver un transistor bipolaire qui aura un Vcesat inférieur à 1V.
Le MosFet n'est pas la solution passe partout.
Il ne faut pas croire non plus qu'un MosFet de 75 A et un Rdson de 10 millis ohms à 75 A aura toujours cette valeur à un courant très faible pour lui.