Marre du massacre de la langue française sur ce forum et autres considérations

Bonjour Coccinelle sans pseudo,

Concernant les 50 ans de prééminence du jargon anglais dans l'électronique je pense que tu peux réviser ton chiffre. Je ne sais pas si tu était déjà né mais j'ai commencer à travailler en 1970, soit il y a 44 ans (6 de moins par rapport aux 50 que tu annonces).
A cette date comme dans toute profession on jargonnait. Mais, désolé de te contredire, je peux t'assurer qu'on jargonnait majoritairement en français. La situation s'est malheureusement dégradée année après année surtout après 1980.

J'ai été ammené à travailler sur un projet avec une société québécoise et compte tenu de ce que tu exposes je te déconseille fortement d'en faire autant.
Pour mesurer des puissances, en France, on utilise un wattmètre comme on dit voltmètre pour mesurer des volts, maintenant c'est mieux de dire "powermeter" : ben oui c'est marqué comme ça sur l'étiquette on ne va réfléchir en plus.

Les Québécois eux n'utilisent que des "Puissancemètres".
Alors merci d'éviter les généralisations a 5 balles.

Concernant le langage approximatif alors qu'on s'adresse à des débutants je suis effaré de lire des conseils comme celui-ci: "Utlise plutôt un MosFet à la place d'un transistor".
Depuis quand un MosFet n'est pas un transistor ?

Quand au pull-up autant utiliser le terme "machin" cela fera gagner du temps.
Il faut quand même se rappeler des définitions , c'est un strict minimum.
Une résistance de "pull-up/down" sert à fixer un potentiel et sa valeur doit être telle qu'elle ne modifie pas le fonctionnement du montage.
Mon dernier éclat , préventif et que j'assume totalement, concernait la résistance de charge d'un comparateur à collecteur ouvert où la valeur de la résistance obligatoirement à ajouter modifie :

  • le courant qui traverse le transistor -> donc sa fréquence de transition --> donc sa rapidité
  • la valeur de l'hystérésis
  • l'impédance de sortie du comparateur

Avec ce comparateur essayez de commander un transistor MosFet de puissance qui a une capa d'entrée de Gate (1) de 3nF avec une résistance de collecteur de 1 kohms ou une autre de 50 kohms et vous verrez la conséquence sur le temps d'établissement du courant et par voie de conséquence sur la puissance dissipée dans le transistor pendant la commutation.

J'ai 68 ans, un peu d'expérience et j'assume ma position de vieux con.

Mes amitiés Cocccinelle inconnue.

(1) j'aurais pu dire "Porte" mais je ne suis pas complètement con non plus.