Hilfe bei Transistor Vorwiderstand

Hallo,

ich habe den Transistor 2N3904.

Ich würde diesen gerne mit 3,3V an der Basis schalten. Das High Signal kommt von einem Bluettoth Modul Hm-18.
Am Emitter und Collector sollen nachher 3,3V und ca 100mh anliegen.
Der Verbraucher an der Emiter Collectorseite ist ein Wemos D1 mini der im Normalbetreib 70mh ziehen soll.
Das Bluettoth Modul soll den Wemos nur einschalten.

Wie berechne ich den Vorwiderstand? Kann mir einer die Daten sagen die ich aus dem Datenblatt nehmen muss.

Laut Recherche benötige ich den hfe , aber davon stehen mehrer Werte im Datenblatt.
Wo kann ich eigentlich die Mindestspannung sehen ab wann der Transistor schaltet?

Eine LED konnte ich schon zum Leuten bringen aber für den Wemos benötige ich einen anderen Vorwiederstand.
Bitte nicht nur den Widerstand nennen, ich möchte gerene verstehen welchen Werte ich aus dem Datenblatt für die Berechnung nehmen muss und wie man diese in eine Formel einsetzt.

Danke für eure Hilfe.

https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand

Das ist ein NPN-Transistor und der ist für dein Vorhaben schlecht bis ungeeignet.
Verwende einen PNP-Transistor oder besser einen P-Channel Mosfet um die Plus-Leitung zu schalten.

Und bitte schreibe zukünftig Widerstand nur mit "i".

Ja, das auch. Mit einem NPN geht das nicht. Du darfst elektronischen Schaltungen nicht einfach so die Masse wegnehmen während noch die Versorgungsspannung anliegt. Deshalb muss man Plus schalten. Und dazu braucht man einen PNP

Wie sieht es mit einem optokoppler 4N33 aus?
Als Mosfet habe ich noch einen IRLZ 34N hier rumliegen. Würde das mit dem auch gehen?

ASommer2:
Wie sieht es mit einem optokoppler 4N33 aus?
Als Mosfet habe ich noch einen IRLZ 34N hier rumliegen. Würde das mit dem auch gehen?

Geht beides nicht.
Der Optokoppler hat einen NPN als Ausgang und der Mosfet ist ein N-Channel und geht dafür auch nicht.

Du brauchst def. einen P-Channel oder PNP und dazu einen Treiber der die Basis bzw. das Gate zum Schalten auf LOW zieht.

Und hier kannst du alles nachlesen.

Und so könnte es dann aussehen:

Anstatt des NPN-Treibers geht natürlich auch ein N-Channel-Mosfet (Logic-Level).

Den NPN davor braucht man nur wenn die Betriebsspannung größer als die Gatespannung ist. Wenn beides 3,3V ist reicht auch nur der P-Ch/PNP

Serenifly:
Den NPN davor braucht man nur wenn die Betriebsspannung größer als die Gatespannung ist. Wenn beides 3,3V ist reicht auch nur der P-Ch/PNP

Ja, stimmt auch wieder....ich bau halt gern auf "Sicherheit".

HotSystems:
Der Optokoppler hat einen NPN als Ausgang ... und geht dafür ... nicht.

Würdest Du bitte noch mal in Ruhe darüber nachdenken, denn diesen Satz halte ich für falsch.

agmue:
Würdest Du bitte noch mal in Ruhe darüber nachdenken, denn diesen Satz halte ich für falsch.

Was genau meinst du da ?
Evtl. passt das Wort Ausgang nicht. Ich habe versucht dem TO das so verständlich wie möglich zu erklären.

HotSystems:
Was genau meinst du da ?

Ich meine, es müßte gehen.

Versorgungsspannung - Transistor vom Optokoppler - Verbraucher - GND

Da die Basis des Transistors potentialfrei von Licht angesteuert wird, sehe ich nicht, warum das nicht funktionieren sollte. Oder?

Ein Problem bei Optokopplern ist dass der Kollektorstrom i.d.R. nicht sehr hoch ist. Die meisten sind nicht dazu gedacht Lasten direkt zu schalten

agmue:
Ich meine, es müßte gehen.

Versorgungsspannung - Transistor vom Optokoppler - Verbraucher - GND

Da die Basis des Transistors potentialfrei von Licht angesteuert wird, sehe ich nicht, warum das nicht funktionieren sollte. Oder?

Danke für den Anstoß.
Wenn ich jetzt darüber nachdenke, könnte ich mir vorstellen, dass es tatsächlich mit dem OK funktioniert.

Da wäre es doch das einfachste, wenn der TO das testet.
Ich werde es ebenfalls mal durchspielen.

Benötigt der P-Channal Mosfet keinen Wiederstand?
Gibt es den auch in einer Breadboard/Lochrasterplatine kompatiblen Bausweise für 3,3V

ASommer2:
Benötigt der P-Channal Mosfet keinen Wiederstand?

FETs werden (vereinfacht gesagt) mit Spannung gesteuert. Und nicht mit Strom. Deshalb braucht man theoretisch keinen Widerstand um den Strom zu begrenzen.

Praktisch stellt das Gate einen Kondensator da. Ungeladen hat der einen relativ kleinen Widerstand, wodurch der Ladestrom erst mal ziemlich hoch ist. Deshalb schadet es nicht einen kleinen Widerstand einzubauen um den Strom zu begrenzen. Das dient aber nur dazu den µC zu schützen und nach dem richtet sich auch dieser Strom (20-40mA)

ASommer2:
Benötigt der P-Channal Mosfet keinen Wiederstand?
Gibt es den auch in einer Breadboard/Lochrasterplatine kompatiblen Bausweise für 3,3V

Nochmals, Widerstand nur mit i.
Den brauchst du und kannst einen 100 Ohm nehmen.

Ein Breakout-Board mit P-Channel wirst du evtl. mit Google finden.

Leider finde ich keinen für 3,3 logic level.
Hat da jemand einen P-ch für 3,3v als Vorschlag?
Würde in der Schaltung der P Cannel mosfet bei High am Gate schalten oder bei Low?

Hi

Der P-FET braucht dann -3,3V - aber von der positiven Versorgung aus gesehen.
Bei 12V sperrt Dieser bei 12V am Gate und bei Weniger wird Er leitend.

Deine 3.3V helfen Dir bei einem P-FET rein gar Nichts.

Du musst mit diesen 3.3V einen Transistor ansteuern, Der Dir die 12V vom Gate 'wegsaugt' - dann wird ein Schuh daraus.

MfG

Wo kommen da jetzt 12V her?

Der Verbraucher an der Emiter Collectorseite ist ein Wemos D1 mini der im Normalbetreib 70mh ziehen soll.

Liest sich so als ob die Betriebsspannung auch 3,3V ist

IRLML6402 oder IRLML2244 sind gut aber SMD. Das SOT23 Gehäuse geht aber mit etwas Improvisation auf Lochraster

Würde in der Schaltung der P Cannel mosfet bei High am Gate schalten oder bei Low?

Low. Letztliches ist es das gleiche Prinzip wie beim N-FET. Er leitet wenn die Gate-Source-Spannung größer als die Gate-Treshhold Spannung ist. Und die Gate-Source-Spannung ist am größten wenn die Gate-Spannung 0V ist.