100'000 scritture sono per singola cella ed è il minimo garantito ... il valore reale spesso è molto più alto.
La tecnica suggerita da Atmel per il massimo sfruttamento la trovi in allegato, assieme ad un esempio di implementazione in 'C'.
Guglielmo
AVR101 - High Endurance EEPROM Storage.pdf (47.3 KB)
Atmel - High Endurance EEPROM Storage.c (4.31 KB)