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Topic: IRLML schalten mit Wemos (Read 5060 times) previous topic - next topic

skorpi080

Mar 29, 2017, 10:15 am Last Edit: Apr 24, 2017, 05:26 pm by skorpi08
Ich habe bisher nur mit 5V vom Arduino geschalten, nun hab ich den Wemos dran, die Lüfter "spinnen" und Mosfet wird "warm".

Angeschlossen ist der so:
Pin ->10K -> Gate
Gate -> 1M -> Source
Drain -> Lüfter GND
Source -> GND

Datenblatt ist leider nicht alles für mich, da bin ich auf eure Hilfe angewiesen.
Müssen die Widerstände gewechselt werden, welche? Wie berechnet man die?
Ich dachte ich kann einfach den Wemos anklemmen und schon rennts....
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combie

#1
Mar 29, 2017, 10:23 am Last Edit: Mar 29, 2017, 10:27 am by combie
Quote
Datenblatt ist leider nicht alles für mich,
Schade....

Das Datenblatt sagt "maximal nötige Gate Threshold Voltage 2,3V bei 25µA".


Du möchtest wahrscheinlich deutlich mehr als 0,000025A schalten.



Faustformel (für DatenblattNichtVersteher):
Um mit einem FET eine nennenswerte Leistung schalten zu können, ist die doppelte Vgs(th) nötig.

Hier also 2,3V * 2 = 4,6V



Für Details das Datenblatt befragen. (notwendig)
Diagramme lesen lernen.
Säge kein Sägemehl.

skorpi080

Wie ich mich immer freue wenn combie antwortet :)

Ja wenn mal einer ne vernünftige Datenblatt Erklärung macht, dann könnt man evtl noch was draus lesen könne, weiß der Geier was Gate Threshold Voltage heißt.

Ich will 1.2A schalten, bei 12V.
Oder 0.7A bei 24V.

Was eignet sich denn dafür?
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combie


Tja....
Bei den für 3,3V geeigneten  LogikLevelFET ist die Luft ganz schön dünn.....
Vielleicht gibts ein paar SMD Dinger.
z.B. IRF7401

Wie du merkst, kann ich dir keine konkrete Antwort geben.
(mir stellt sich das Problem nicht)

Wobei meine ESP bis zu 25A schalten dürfen.

Machen sie auch.
Nutze dafür ein kleines Helferlein: BTS441T
In der Familie gibts auch noch kleinere.
Säge kein Sägemehl.

ardubu

versuch mal einen IRLML 2502 und mache die Widerstände kleiner 290 Ohm und 47 k

skorpi080

IRLML 2502 hab ich auch probiert, dasselbe spiel.
Was ein BTS441T ist und macht....ka
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mgcss

#6
Mar 29, 2017, 11:01 am Last Edit: Mar 29, 2017, 11:12 am by mgcss
am aussagekräftigsten sind immer die Bedingungen, zu denen RDS(on) angegeben wird. Beim IRLML2502 z. B. sieht man, dass da ein Wert für VGS von 2,5 Volt definiert ist.


Damit ist er tauglich für 3,3 Volt Controller. Ein anderer Typ, der nicht im SMD daherkommt wäre z. B. der IRF3708.

Zum Testen kannst Du den Widerstand zwischen Gate und Controller auch ganz weglassen ... das gibt dann aber ein wenig EMV Störausstrahlung beim PWM Betrieb ;-) Die von Dir angegeben Werte von 10k zwischen Pin und Gate bzw. 1M zwischen Gate und Source sind um mehrere Stellen zu groß gegriffen. "Normale" Werte zwischen Pin und Gate sind um 100 Ohm ... zwischen Gate und Source um 10k. Höhere Werte (vor allem zwischen Pin und Gate) führen zu einem langsameren Umladen der Gate-Kapazität und damit zu einem längeren Verweilen im Linearbetrieb und damit wiederum zu einer stärkeren Erwärmung!

PS: die Treshhold-Spannung wird immer wieder genannt wenn es darum geht, ein MOSFET Datenblatt zu lesen. Wenn man ihn aber im Schaltbetrieb verwenden möchte, ist das aber eine der überflüssigsten Angaben überhaupt. Sie sagt nämlich nur, ab welcher Gate-Spannung der MOSFET gerade so anfängt zu leiten ... allerdings mit einem sehr hohen Widerstand der in der Folge logischerweise auch zu einer sehr hohen Erwärmung führt. Deshalb sollte man den Wert schlicht ignorieren.

skorpi080

Bleiben denn die Widerstände bei 3V und 5V dieselben?
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combie

#8
Mar 29, 2017, 11:23 am Last Edit: Mar 29, 2017, 11:27 am by combie
Quote
Bleiben denn die Widerstände bei 3V und 5V dieselben?
Gähn...

Der Pulldown ist unkritisch.
Warum sollte der sich ändern....

Zwischen 10k und 200k sollte für deine Anwendung ok sein.
Für eine genauere Betrachtung ist die Gate Kapazität des Transistors wichtig.

Der Gatewiderstand sollte groß genug sein, um eine Schwingneigung zu dämpfen.
Und klein genug sein um ein schnelles Umladen zu ermöglichen.
Ich schätze mal, dass 10R bis 100R bei 3,3V voll ok sind.
Je größer desto wärmer wird der der Transistor im Schaltvorgang.
Je kleiner desto mehr Störungen.

Und wie immer, wenn es keine passenden FET gibt:
Setze einen Treiber davor, und alle deine Problem sind weg




Quote
PS: die Treshhold-Spannung wird immer wieder genannt wenn es darum geht, ein MOSFET Datenblatt zu lesen. Wenn man ihn aber im Schaltbetrieb verwenden möchte, ist das aber eine der überflüssigsten Angaben überhaupt. Sie sagt nämlich nur, ab welcher Gate-Spannung der MOSFET gerade so anfängt zu leiten ... allerdings mit einem sehr hohen Widerstand der in der Folge logischerweise auch zu einer sehr hohen Erwärmung führt. Deshalb sollte man den Wert schlicht ignorieren.
Welch ein Unsinn!
Wie kann man nur auf die absurde Idee kommen, einen Schalttransistor im Bereich Vgs(th) zu betreiben.
Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.


Säge kein Sägemehl.

skorpi080

Vorm FET ein FET setzen, ist ja ma echt klasse, und dass im Jahr 2017. (den Vorschlag hab ich schon in anderen Foren gelesen)

100R und 10K Pulldown dasselbe spiel, beim 2502
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mgcss

#10
Mar 29, 2017, 11:43 am Last Edit: Mar 29, 2017, 11:49 am by mgcss
Welch ein Unsinn!
Wie kann man nur auf die absurde Idee kommen, einen Schalttransistor im Bereich Vgs(th) zu betreiben.
Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.
Dann lies meinen Beitrag nochmal sorgfältig durch: ich sage doch genau das gleiche. Die Angabe des Treshhold-Wertes ist eine der überflüssigsten im ganzen Datenblatt :-) und wirklich nur relevant, wenn man den MOSFET absichtlich im Linear-Betrieb fahren möchte ... was bei 99,9% aller Fälle, die wir hier diskutieren NIE der Fall sein wird :-)

PS: und ich war es übrigens auch nicht, der mit einer so verquerten Theorie wie dieser um's Eck kam:
Um mit einem FET eine nennenswerte Leistung schalten zu können, ist die doppelte Vgs(th) nötig.

Hier also 2,3V * 2 = 4,6V
Das kann man so pauschal nämlich auch nicht sagen!

combie

Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.
Säge kein Sägemehl.

skorpi080

Mit analogWriteFreq(70000); drehen die Lüfter schneller als bei 30000, sonst seh ich da kein Unterschied. Bei 20000Hz summen die.
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mgcss

Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.
was passt Dir denn nicht?

combie

Quote
analogWriteFreq(70000)
70kHz ?

Und du wunderst dich, dass der Transistor warm wird?

Quote
drehen die Lüfter schneller als bei 30000
Das ist ein recht klarer Nachweis, dass der Transistor gar nicht mehr abschaltet.
Also eher linear betreiben wird.
Und dann wird er warm.
Das ist dann auch OK so.
Säge kein Sägemehl.

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