Lecture de la datasheet pour le gain.
Le gain min dépend du courant Ic donc on va "estimer" Ic
La bobine fait 55,6 ohms sous 5 V. Ne nous embarrassons pas avec les décimales cela fait un courant de 100 mA.
Pour Ic= 100 mA la datasheet (page2) donne Gmin = 30 --> c'est peu, le transistor n'a pas bien choisi (c'est un transistor pour amplification audio qui n'est pas optimisé pour un courant Ic de 100 mA) mais si tu l'as on va faire avec.
Si on prend G = beta_min/10 cela fera un courant de base de 33 mA c'est impossible pour une sortie de micro.
Si on se fixe un courant de base de 15 mA, valeur plus acceptable, qu'est-ce que cela donne ?
Cela correspondra à un gain forcé de 6,66 soit un coefficient de forçage k = 30/6,66 = 4,5 V
Ce n'est pas terrible mais dans ce cas de figure je pense qu'on aura du mal à faire mieux. Je te propose de rester --> le juge de paix sera la vérification avec un voltmètre que la tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor sera égale à son Vce sat.
Quel est-il ce Vce sat ?
La datasheet ne donne le Vcesat que pour Ib = 1 et 5 mA.
Le Vcesat est constitué de deux parties : une vraie tension résiduelle quasi constante plus une chute de tension ohmique dans les résistances internes du transistor).
Pour 15 mA je vais faire une estimation à 0,8V ce qui veut dire que le courant dans la bobine devrait être égal à
I = (5-0,8)/55 = 76 mA
Premier point : quand on est en limite de performance pour le transistor on n'a pas d'autre solution que d'affiner en plusieurs passes.
Si je ne change rien au courant de base le coefficient de forçage va passer de 4,5 à 5 : c'est mieux, donc je garde les 15 mA.
Calcul de la résistance de base :
Quand un transistor bipolaire conduit sa tension base/émetteur est celle d'une diode, on prend généralement 0,8V.
Sous 15 mA la sortie du microcontrôleur délivrera 4,6 V comme le montre l'abaque tirée de la datasheet.
Pour la résistance on trouve Rbase = (4,6V - 0,8V) /15 mA = 250 ohms.
Remarque : avec ce choix de transistor tu t'es mis dans un des pires cas qui puissent se produire.
Tu notera que j'ai fais deux passes de calcul.
J'ai aussi fais des approximations sur le Vce sat et le Vbe qu'il va falloir confirmer par la mesure.
Je te conseille vivement de mesurer les tensions Vbe et Vce et aussi aux bornes de la résistance de base pour t'assurer que les tensions sont "conformes aux évaluations" et que le courant de base n'est pas trop élevé ni trop faible.
Note aussi qu'on s'est mis dans un pire cas, normalement le gain de TON transistor devrait être supérieur à 30.