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Topic: Faut-il mettre des résistances avec un mosfet IRLZ44N (Read 736 times) previous topic - next topic

68tjs

Quote
il est préférable de vérifier les caractéristiques des exemplaires qu'on souhaite utiliser.
Et de varier les sources d'approvisionement.
La dispersion dans les transistors atteint +/- 30% selon le lot de fabrication mais à l'intérieur d'un lot elle est bien moindre souvent inférieure à 5% voire quelques %.
Chez un fournisseur donné le lot mis en vente proviendra probablement d'un même lot de fabrication ils seront tous identiques.
Dans le cas du BS170 où un doute subsiste, à 10 cts pièces, il est préférable de commander 3 lots chez 3 marchands différents.

hbachetti

Linux is like a wigwam: no Windows, no Gates, and an Apache inside ...

zelflame33

Merci pour ces réponses je vais mettre une 1N4148 a la place de la 1n4007

68tjs

Etonnant.
D'après la datasheet : 3V maxi.
Il faut voir du coté de Rdson.
Les meilleures performances sont pour Vgs = 10 V --> tout ce qu'il y a de plus classique pour xFet.

Si on regarde page 4 figure 2 on voit que le RDSon à Vgs = 5V et ID = 0,5A est 1,8 fois supérieur à la valeur pour Vgs = 10 V
En pulsé avec un courant de 1,2 A on sort de l'épure et la valeur est exponentielle : dizaines d'ohms ? centaines d'ohms ?
Figures 3, 4 , 5 les courbes sont uniquement données pour Vgs = 10 V

C'est du classique, pour faire une datasheet avantageuse les fabricants ne mettent pas en avant tous les paramètres de la même façon, il faut lire entre les lignes.

Ce n'est pas pour autant que ce transistor n'est pas fonctionnel à Vgs = 5V.
Tout dépend comment on exploite une datasheet.
La question qu'il faut se poser c'est jusqu'où on peut "flirter" avec les marges et c'est ici que s'exprime la valeur ajoutée d'un développeur de terrain.

Rdson nominal = 1,2 ohms pour Vgs = 10 volts et Id = 0,5A.
Pour Vgs = 5V et  conditions identiques Rdson "monte" à 2,1 ohms.

Est-ce acceptable ?
Que constate-t-on ?
A Vgs =10V , Id = 0,5A la chute de tension VDS = 0,6 Volts
A Vgs = 5V , Id = 0,5A  la chute de tension VDS = 1 Volt
En valeur max de Rdson (possible mais statistiquement peu probable) on obtient 2,5V de perte dans le transistor à Vgs = 10 v et 4,5V à Vgs = 5V

Est-ce acceptable : à I = 500 mA AMHA ce n'est pas acceptable que  Vgs vaille 10V ou 5V.
En mode interrupteur ce transistor n'est bon qu'à des courants max = 0,1 A.

Transistor bipolaire :
Je suis totalement le raisonnement d'hbachetti : à Ic = 0,5A on peut trouver un transistor bipolaire qui aura un Vcesat inférieur à 1V.
Le MosFet n'est pas la solution passe partout.
Il ne faut pas croire non plus qu'un MosFet de 75 A et un Rdson de 10 millis ohms à 75 A aura toujours cette valeur à un courant très faible pour lui.



_pepe_

Supprimé

68tjs

Cela confirme mon point de vue : un MosFet ou plutôt un xFet c'est merdi*ue à choisir sans se tromper.

Mais il me vient une question :
Il existe des modules "level shifter".
Dans le cas très courant où le Mosfet et sa charge sont reliés au minimum au +12V et parfois plus on devrait pouvoir commander "avec sérénité" n'importe quel MosFet avec un level shifter ?

Des objections ?

al1fch

capacité du 'level shifter' à supporter 12V a un bout et à charger rapidement la grille du Mosfet.
A vérifier avec schéma et doc du ou des composants !!
Autant insérer un petit driver de Mosfet .....si ça se trouve sous forme de module

_pepe_

Supprimé

hbachetti

Pour ma part j'en resterai donc à mes préférences habituelles : un bon vieux NPN.
2N3904 ou mieux, l'inaltérable 2N2222.
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68tjs

Quote
l'inaltérable 2N2222.
C'est celui avec lequel j'ai commencé à bosser en 1970 ( ou plutôt avec son frangin PNP le 2N2907) , et ils ne venaient pas de sortir.
La "bête" a peut-être plus de 60 ans de service actif et toujours pas en retraite !

Cela revient à insérer un montage à grille commune, ce qui impose toujours d'utiliser un transistor "logic level" (certes moins puissant) et n'évite pas à la sortie logique du microcontrôleur de devoir fournir le courant nécessaire à la charge/décharge des capacités parasites du transistor de puissance.
Pour le logic level (qui ne veut rien dire puisqu'on ne précise pas la logique mais on se comprend) c'est bon puisque que ces modules fonctionnent avec de la logique 2,5V.
Quand au courant de charge je n'abandonnerai jamais mes objections : c'est comme pour les condensateurs anti rebond le schéma n'est pas RC mais RLC et s'il y a du L il y a tangente horizontale donc le courant réel est bien plus faible que celui que donne un calcul (trop) simplifié avec un seul RC.

_pepe_

Supprimé

68tjs

J'hésite à répondre pour ne pas mettre un jeton dans la boite à polémique qui a déjà tendance à faire de l'auto-allumage mais je ne peux laisser passer.

Je parle uniquement  de l'inductance parasite.
Celle qui est TOUJOURS PRÉSENTE et dont on ne peux pas se débarrasser QUOI QU'ON FASSE.

Un fil de câblage à de l'inductance
Un condensateur à de l'inductance
Une résistance à de l'inductance
Une résistance à de l'effet de peau et sa valeur sous un front est plus élevée que sur le plat de l'impulsion.

La seule chose dont je conviens c'est que le chiffrage est extrêmement difficile pour un amateur . Un chiffrage demande du temps et des gros moyens.  Malgré ce temps et ces moyens le chiffrage restera "à la louche" et dépendra principalement de la valeur ajoutée du développeur de terrain.
Mais quand on sait qu'il y a de l'inductance on ne peut pas faire comme si le courant s'établissait instantanément.

Quand  la limite de la diminution les éléments parasites est atteinte  la valeur ajoutée du développeur de terrain c'est aussi de les utiliser en les intégrant dans son schéma ..............et d'essayer de transmettre un petit peu son expérience.

_pepe_

Supprimé

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