harry1998:
Ich dachte halt Hauptsache N-Kanal MOSFET. Kann mir noch jemand sagen, warum es in diesen Fall ein Logic-Level MOSFET sein muss?
Schau dir im Datenblatt die Gate-Source Treshhold Spannung UGS(th) an. Die liegt bei normalen FETs bei 2-4V. Bei Logic FETs bei 1-2V. Das ist die Spannung bei der Transistor anfängt zu leiten. Der IRF610 hat da 2-4V.
Das hört sich erst mal gut an. Aber dann schau dir die Spannung an für die der Drain-Source-Widerstand RDS(on) definiert ist. Das ist der Widerstand wenn er voll leitet. Die Spannung liegt bei Standard FETs bei 8-10V. Beim IRF610 ist die 10V! Bei Logic Level FETs wie der Name andeutet 5V.
Siehe auch Fig. 1 auf Seite 3:
http://www.vishay.com/docs/91023/91023.pdf
Der Transistor macht bei 5V lediglich etwas weniger als 300mA Drain Strom! Das ist sehr schlecht.
Die Y-Achse ist logarithmisch. Wenn man also bei 10-1A = 100mA ist, ist die nächste Linie 200mA. Die Kurven sind die jeweiligen Gate-Source Spannungen.