Schottky-Dioden sind um eine Größenordnung schneller. Stichwort: reverse recovery time. Außerdem haben sie eine niedrigere Durchlasspannung, wodurch weniger Leistung verbraten wird.
Den Unterschied zu normalen p-n Dioden siehst du nicht. Kann man im Datenblatt sehen, oder wenn du dich mit den Bezeichnungen etwas auskennst, am Typ-Namen.
Der Gate-Vorwiderstand dient dazu den µC zu schützen, da die I/Os nur 40mA machen. Er soll also den Strom auf unter 40mA begrenzen. 2,2k sind daher sehr hoch. Man sagt zwar, dass FETs "leistungslos" angesteuert werden, aber um die Gate-Kapazität umzuladen fließt immer noch kurz ein Strom.
Das ist eine völlig andere Funktion als der Basis-Widerstand bei Bipolar-Transistoren, die stromgesteuert sind!