[Conseil] Pull up / pull down sur mosfet PNP

Bonjour,

J’alimente un solénoïde (5V-4W) via un mosfet PNP activé par une sortie de mon Nano. Je vois des schéma avec des résistances de pull up/down, mais je ne comprends pas leur intérêt puisqu’a l’état LOW la sortie est à -5V et à l’état HIGH elle est à +5V?? Puis-je m’en passer?
Derniere chose une diode de roue libre est elle indispensable pour un solénoïde ayant ces caractéristiques?
mosfet: http://www.tme.eu/fr/Document/f438668fa41423b280da965bc2f468d4/vp3203.pdf

Merci d’avance pour votre aide!

Alex

Commençons par la fin :

une diode de roue libre est elle indispensable pour un solénoïde ayant ces caractéristiques?

C'est SYSTEMATIQUE, on se fout des caractéristiques, dès qu'il y a un bobinage il faut une diode en protection. La raison est expliquée par la loi de Lentz (bonne lecture si tu as des insomnies :grin: ). Un bobinage qui conduit se charge en énergie magnétique (c'est le but). En gros cette loi elle dit que, du fait de cette énergie magnétique stokée, le courant ne peut pas s'arrêter instantanément dans un bobinage. Si la commande en courant s'arrête brusquement l'énergie magnétique sdonne naissance à une tension (dite de Lentz) qui cherche à maintenir de force un courant.

E= -L * (I1-I2) / (T1-T2). Même si l'inductance ou la variation de courant ne sont pas trop élevées il suffit que le temps de commutation soit bref pour que E atteigne des milliers de volts qui chercheront à s'écouler de force dans le transistor l'éclatant par la même occasion. La diode montée en inverse court-circuite cette tension et le transistor ne craint plus rien.

Je vois des schéma avec des résistances de pull up/down,

L'entrée d'un MosFet est équivalente à: - une résistance extremement élevée - une capacité de gate (entre 1nF et 3 nF) en parallèle sur la résistance.

Si on ne fait rien, en absence de toute commande, la capacité peut se charger en captant tout ce qui passe à sa proximité. Comme la résistance est très élevée la capacité ne se déchargera pas ce qui pourra mettre le transistor en conduction. C'est pour décharger cette capacité que l'on met des pull-down ou pull-up selon le sexe du MosFet (canal N ou canal P).

Si tu es absolument certain que la gate du MosFet sera toujours raccordée à un potentiel bien défini les pull-up/down ne sont pas nécessaires. Avec l'expérience on devient conscient que tout ce qui ne pourra jamais arriver fini toujours par arriver, donc la prudence dit qu'il ne faut pas économiser une malheureuse résistance.

Ok merci pour vos réponses rapides et très complètes!

Il s'agit bien d'un mosfet type P. Si je veux me passer de la résistance de pull up c'est que je manque de place..

Je veux envoyer 5V et 0,8A or je suis en train de voir que la tension au niveau de la charge sera 5V-IlRds soit 5V-0,6x0,8=4,5V?? Donc je doit envoyer 5,5volts en alimentation pour en avoir 5 à la charge??

Cela s'appelle de la gestion des risques : si tu ne mets pas de résistance et que le transistor se met à conduire quand il ne faut pas, soit pour la raison avancée par_pepe_ soit par moi qu'est-ce qu'il se passe ? Rien ou alors il y a de la casse ?

Soyons sérieux ne pas avoir de la place pour placer une résistance 1/4 de Watt alors qu'on utilise un transistor avec un boiter 20 ou 50 fois plus gros cela me fait bien rigoler.

Le boitier est un TO92, donc vraiment pas gros! Je ne dis pas que je ne vais pas en mettre, j'ai bien compris l'intérêt, c'est juste qu'au niveau place c'est limite.

UN CMS 0805 fait 2 mm de long par 1,2 mm de large :grin: Il a juste la bonne longueur pour se souder entre deux pattes de transistor écartée d'un pas ( 2.54 mm)

Grillé par pepe

Il y a un truc qui m'interpelle : pourquoi as tu choisi un canal P ? Selon le choix de l'emplacement de la masse on choisi de travailler avec le type qui simplifie la vie : - masse au moins : on utilise des NPN ou des mosfet canal N. - masse au plus : on utilise des PNP ou des mosfet canal P.

Sauf a avoir des montages ou des impératifs très particuliers. Est-ce le cas ?

pepe:
D’une part, ce transistor ne présente une RDS(ON)=0,6 Ω que pour VGS=-10V. Pour VGS=-5V on est plus proche de 1Ω, et donc la situation pourrait être pire que ce que tu indiques.

D’autre part, il n’est peut-être pas interdit de choisir un modèle “logic level” avec une valeur de RDS(ON) beaucoup plus faible.

(Je prends le premier exemple qui me passe sous la main : FDN306P (-2,6A/-12V) RDS(ON)=0,04Ω @ VGS=-4,5V, soit une chute de tension de seulement 0,032V sous 0,8A. Sous 5V, on ne chute plus qu’à 4,968V. En cherchant un peu, tu devrais en trouver un qui convienne à ta situation.)

En fait je découvre, je ne connaissait pas du tout la notion de modele “logic level”. Merci! En soit j’avais prevu une alimentation ajustable donc je vais essayer de compenser la chute de tension. Mais ta reference est interressante je vais étudier ça!

68tjs: Sauf a avoir des montages ou des impératifs très particuliers. Est-ce le cas ?

J'essaye de controler un système existant, deux solénoïdes reliées entre elles à la masse. J'ai essayé les transistor NPN/PNP avec des chutes de tensions importantes, c'est pourquoi je me tourne maintenant vers les mosfets.

Ok, tu as des impératifs particuliers et il te faut soit des transistors PNP soit des transistors MosFet canal P. Compte tenu du courant effectivement un transistor Mosfet Canal P est préférable à un transistor bipolaire PNP.

Un point concernant les datasheets des MosFet. Le Vgs_threshold est donné pour un courant qui correspond au déblocage du transistor (moins de 1mA). Pour avoir les capacités réelles du transistor il faut bien examiner les courbes et encore en restant méfiant car par exemple celle qui donne le courant en fonction de Vgs correspond à un Vgs_threshold moyen et ce n'est pas toujours clairement indiqué. Il faut donc se garder de la marge.

L'expression "logic Level" est bien pratique sauf qu'elle ne repose sur aucune norme et qu'elle n'est valable que pour de la logique 5V et absolument pas pour de la logique 3,3 V. -> la prudence reste de mise.

Je ne trouve pas dans la datasheet d'info concernant le courant sur le gate? Par ailleurs la Rdson donnée dans le graph page 3 ne colle pas avec les données du tableau page 2.. Est-ce moi qui lit mal?

Je ne trouve pas dans la datasheet d'info concernant le courant sur le gate?

Normal je t'ai dit que la résistance est très élevée donc le courant est négligeable et on ne quantifie pas quelque chose de négligeable

le graph page 3 ne colle pas avec les données du tableau page 2 Est-ce moi qui lit mal?

Je ne me permettrais pas de dire ça mais il faut bien voir les petites différences : Page 2 les valeurs correspondent à des valeurs max (colonne Max). Page 3 : Rappel du message précédent :

correspond à un Vgs_threshold [u]moyen et ce n'est pas toujours clairement indiqué.[/u]

La courbe doit probablement correspondre à des valeurs moyennes et c'est sous-entendu .

Bonjour,

Apres moultes recherches, je crois avoir trouvé mon bonheur: http://www.tme.eu/fr/Document/399565ce654e31b7ee628a5d3d5210cf/AP4435GHJ-3.pdf Est-ce que vous pourriez juste me confirmer que pour mon application ca ira: Gate/alim:5V courant: 1A peu ou pas de perte de tension ( a peu près) 5V)

Sur la datasheet RDSon est de 36m0hms à 16A, mais RDSon decroit si Id decroit? Donc pour Id=1A, RDSon est encore plus faible? Est-ce que la diode interne de ce mosfet peut servir de diode de roue libre?

Et une question bete, j'ai vu des mosfets avec des RDSon tres elevés, c'est quoi l'interet??

Rdson est donné a son optimum qui est pour IMAX.

Si I décroit Rdson augmente.

Augmenter ne veut strictement rien dire tout est question de proportion ! Si Rdson est multiplié par 10 la conséquence ne sera pas la même si on part de 1 milli ohm ou si on part de 1 ohm.