Ciao,
allego foto dello schema .
Il mio quesito è appunto la resistenza di pulldown sul gate del Mosfet IRF540N.
Credo sia quello il problema.
Il circuito prevede che esp32 attivi l'optoisolatore, il quale dovrebbe portare il Mosfet in saturazione per poter accendere un generatore di ozono a 12V.
Dove c'è scritto '3V3' in realtà è un pin dell'esp32.
Il generatore assorbe circa 80W, sono circa 6,5 A , ma nonostante sul gate del mosfet arrivo a 12V, dopo poco il mos diventa una stufa.
Questo mi fa capire che in realtà non sono in saturazione ma in zona lineare, giusto?
Considerando che questo mosfet puo sopportare carichi maggiori se ben gestito,secondo voi, posso fare qualche accorgimento al circuito per evitare questo o devo cambiare sistema di pilotaggio, tipo un driver?
Usando carichi con assorbimenti minori, questo riscaldamento naturalmente non avviene.
grazie