Rth Thermischer Widerstand. Das sagt wieviele °C/K das Bauteil intern (Junktion) pro W Verlustleistung sich erhöht.
Also bei 6W und 50 K/W wird das innere 300^C bzw K wärmer. Bei 60° Umgebungstemperatur (realistischer Wert für die Projektierung) wären das 360°C. Die max zulässige Temperatur des Siliziums ist ca 150°C.
andererseits sagt das Datenblatt: https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/BUK9675-100A.pdf
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Minimum footprint; FR4 board
typisch 50 K/W
Das bedeutet daß der Transistor auf der Platine mit der Kühlfläche (so um 1-2 cm^2 beide Seiten der Platine mit VIALs) verlötet sein muß und eine gewisse Kupferfläche zur Kühlung zur Verfügung steht. Also ohne anlöten würde ich keine 0,5W Verlustleistung dem Transistor zumuten.
Einige Infos zB hier: heatsink - Optimize heat sink design - connect cooling pad on PCB backside by vias - Electrical Engineering Stack Exchange
Nochwas 2.0 oz Copper sind 70µm Kupferbeschichtung der Platine. Das sind das doppelte von Standardplatinen.
Grüße Uwe