villeicht nicht die passendste Frage hierfür, aber ich habe für einige RGBW Spots eine Platine mit einem ESP32 erstellt und wollte fragen ob jemand bei dem Schaltplan irgendwelche probleme sieht.
Die Spots laufen mit 12 V und ca. 0,5 A pro Farbe.
Begrenzt den Strom, den die parasitäre Kapazität an Gate zum Umladen bei PWM benötigt.
Ja, beim Einschalten des µCs sind die GPIOs hochohmig, weshalb Gate undefiniert schalten könnte. Das verhindert aber auch ein Widerstand direkt am GPIO.
Das Gate hat doch schon eine Eigenkapazität. 15nF erscheint mir schon recht viel. Gut um ein PWM Signal zu versemmeln. Gibt es bei 400 und ein paar gequetschten Hz schon EMV-Probleme? Ich denke eher nicht.
Die können vor allem den Flankenanstieg so verschleifen, dass der FET länger im linearen Bereich bleibt (also langsamer schaltet) und damit mehr Energie in Wärme umgesetzt wird. Raus damit.
ich hatte oft bei solchen Mosfet schaltungen gesehen, dass noch ein transisor vor geschaltet wird, um vermutlich genau das verhindern soll? Dachte mir für die "kleinen" LED Strömw brauche ich den nicht
Beispielsweise um MOSFETs, die an Gate eine höhere Spannung benötigen, mit kleinen Spannungen von 3,3 V satt durchzuschalten. Dein MOSFET schaltet schon bei ca. 1 V, da ist ein zusätzlicher Transistor nicht notwendig.
Oder wenn eine höhere +Spannung (größer VCC des Controllers, z.B. +12Volt) geschaltet werden muss, dann wird ein zusätzlicher Treibertransistor benötigt.
laut https://www.aosmd.com/res/datasheets/AO3400A.pdf ist Drain auf der Seite mit dem einzelnen pin.
Drain darf nicht auf Masse geschaltet werden sondern gehört auf die Last. Source gehört auf Masse.