Fabrication BMS avec le CI DW01A

Bonjour,

Je galère (encore :sob:) avec mes BMS de batterie Lithium.

A force de test, je suis arrivé à la conclusion que les BMS du marché (ceux installer par default dans les batterie et sur le HW373) sont régler sur un seuil de +/- 2A (entre 1.5A et >2.6A).
Sauf que moi j'ai besoin environ 2.6A !
La seule solution que j'ai trouvé consiste à tester plusieurs batterie jusqu'à en trouver une dont le BMS ne bloque pas...

J'ai donc décidé de fabriquer directement le BMS pour l'adapter à mes besoin.

Je pensais utiliser le circuit DW01A :

Dans les BMS que j'ai sous la main les MOSFET utilisés sont soit des 8205A ou des FS8205A :

Dans les deux cas, se sont deux MOSFET à canal N dans un même CI.

D'après ce que j'ai compris, le DW05A calcule le courant consommé au moyen d'un comparateur entre le + de la batterie et l'entrée CS.



Ce seuil de détection est compris entre 120 et 180mV d'après la datasheet.

Je suppose qu'il s'agit de la chute de tension (ΔU) du à la résistance Drain-Source des MOSFET (Rds(on)) et la loi d'Ohm.

Donc sachant que Rds(on) = 0.027Ω (27mΩ) sous 4V et que ΔU soit être de 150mV :
I = ΔU / R = 0.150 / (2 x 0.027) = 2.7A

Si je test les valeur maximales et minimale :
Imax = ΔUmax / Rmax = 0.180 / (2 x 0.030) = 3A
Imin = ΔUmin / Rmin = 0.120 / (2 x 0.023) = 2.6A

La plage trouvé correspondrai a peut près à ce que j'ai trouvé de façon empirique.

Le problème s'est que je ne sais pas comment intégrer les résistances R1 et R2 dans mon calcule, ni si la résistance interne de la batterie a une importance...

Est ce que quelqu'un peut m'aider ?
Merci d'avance.

Ces 2 résistances n'interviennent pas dans tes calculs.

  • R1 sert au filtrage de l'alimentation du TP4056
  • R2, si je me souviens bien, sert à protéger le TP4056 en cas d'inversion de polarité de la batterie.
  • la résistance interne n'entre pas non plus dans la calcul car elle n'est pas située entre GND et la sortie BATT-.

OK, merci.

Et sinon, mes calcules sont bon ?

Si oui, ca veut donc dire que la Rds(on) d'un MOSFET doit être égale à ( 0.150 / Imax ) / 2.

Donc dans mon cas, si veut 4A en sortie, Rds(on) = ( 0.150 / 4 ) / 2 = 0.0187Ω = 18,7mΩ ?

A priori oui.

Attention quand même il y a pas mal de dispersion sur RDSon, mais il y a en plus une dérive en température.
A mon avis, il ne faut pas trop jouer avec les valeurs limites si tu ne veux pas être obligé de trier les transistors et les DW01.

Si je prend 2A de marge s'est bon ?

Le problème est que si je prend des valeur de courant trop élevés je ne suis pas sur de trouver des MOSFET adaptés...

J'ai fait un petit graphe pour gagner du temps :

L'équation de la droite est y = 75 x ^-1