Funzionamento mosfet

Ciao a tutti, sto cercando di capire il funzionamento di un mosfet usato come interruttore, ma mi sfugge qualcosa. Quindi se qualcuno di voi riuscisse a chiarirmi le idee gliene sarei grato.

Il mosfet che vorrei utilizzare è questo:
Intelligent Power and Sensing Technologies | onsemi (2n7000)

La configurazione in cui vorrei utilizzarlo invece è questa:
https://www.google.it/search?q=mosfet+as+a+switch&source=lnms&tbm=isch&sa=X&ei=xo4BVJaLK4vXaNHwgeAN&ved=0CAYQ_AUoAQ&biw=1745&bih=905#facrc=_&imgdii=_&imgrc=1bJRXJSUZ9p2oM%253A%3BboW9JzEQ12o02M%3Bhttp%253A%252F%252Fbrunningsoftware.co.uk%252FPictures%252FU-fig10.jpg%3Bhttp%253A%252F%252Fbrunningsoftware.co.uk%252FFET.htm%3B199%3B284

Faccio un po' di confusione perchè fin ora ho utilizzato solo bjt (bj337) come interruttori e per sapere se il transistor lavorava in saturazione o meno calcolavo la resistenza in base ed ero a posto.
Con i mosfet non capisco come valutare se il componente lavorerà in regione ohmica o di saturazione.

Ho capito che la tensione del gate deve superare la Vth, tensione alla quale inizia a formarsi il canale di conduzione tra drain e source, ma come mi assicuro che il transistor sia completamente aperto ottenendo, ottenendo una resistenza bassa?

A differenza dei bjt mi sembra di aver capito che il mosfet è "aperto" quando lavora in regione ohmica e non in saturazione. potete confermarmelo?

Grazie

paolo86:
A differenza dei bjt mi sembra di aver capito che il mosfet è "aperto" quando lavora in regione ohmica e non in saturazione. potete onfermarmelo?

La Vgsth è la tensione alla quale il mos comincia a condurre, ti trovi nella regione lineare con una Rds alta, per andare in saturazione devi raggiungere la Vgssat che trovi indicata su i data sheet del componente.
Nel caso del 2N2700 la Vgssat per la minima Rdson (1.2 ohm) è 10V, a 5V sono comunque in saturazione con una Rdson di 1.7 ohm.

Grazie astrobeed :wink:
Ma perchè sul datasheet ti indicano anche la Id di saturazione? nel caso dei 5V tra gate e source sarebbe ~75mA, non dovrebbe dipendere unicamente dalla maglia esterna, cioè dal carico?

paolo86:
Ma perchè sul datasheet ti indicano anche la Id di saturazione? nel caso dei 5V tra gate e source sarebbe ~75mA,

Quelle sono le condizioni di test, ovvero ti dicono con quali tensioni e correnti sono state fatte le misure, la Id in saturazione dipende esclusivamente dal carico e dalla Rdson.

Tutto chiaro. Grazie per l'aiuto :wink:

Appena passa il mod ti spiega che sei OT

Testato:
Appena passa il mod ti spiega che sei OT

sei noioso.
Ciao Uwe