Gibt es eine FRAM Bibliothek, die alle Speicherzellen gleichmäßig abnutzt?

Moin,

Gibt es eine FRAM Bibliothek, die alle Speicherzellen gleichmäßig abnutzt?

Ich meine damit, wenn man Daten im Speicher ablegt, dass dann nicht nur immer wieder die gleiche Speicherzelle beschrieben wird, sondern alle nacheinander so, dass alle Speicherzellen gleichmäßig abgenutzt werden, und nicht 90% der Speicherzellen nie was zu tun haben, wenn man nur 10% des verfügbaren Speichers nutzt. Wenn dann wirklich mal eine Speicherzelle kaputt sein sollte, müsste diese als defekt gekennzeichnet werden und in der Folge nie mehr angesprochen werden.

So eine Technologie gibt es bei SSD Speicher.

Ja ich weiss, man brauch das bei den FRAM vermutlich nie, weil dieser sowieso ewig hält, aber mich interessiert eben trotzdem diese Fragestellung.

Danke und lieben Gruß, Chris

Warum sollte sich jemand die Mühe machen, eine sinnlose Lib zu schreiben?

Gruß Tommy

Wenn du dir bei einem FRAM um "wear leveling" einen Kopf machen musst.... Dann hast du evtl. aufs falsche Pferd gesetzt.

Vielleicht wäre ja dann ein 23LCV1024 was für dich

Ja, sorry, war ja nur ne Frage.

Warum muss man blöd in einen Speicher schreiben, wenn man ihn auch intelligent nutzen kann?

...blöd .... intelligent...

Beides sind (Be)Wertungen, welche ohne Angabe der Kriterien, ohne jede verwertbare Aussage bleiben.

Wieviel Schreib- Leesezyklen erwartest du, pro Sekunde? Wieviel Sekunden soll das Gerät zuverlässig arbeiten?

Nein, eine solche Bibliothek gibt es nicht, weil sich FRAM Speicherzellen nicht abnutzen. Bei Speicher auf Basis von EEPROM wie SSD oder USB Speichersticks braucht es ein Speichermanagement, weil die Zellen nicht unendlich oft löschen bzw speichern können. Grüße Uwe

Bedenke auch:

Das lesen einer FRAM Zelle wirkt sich zerstörend auf ihren Inhalt aus. Diese muss also direkt nach dem lesen wieder beschrieben werden (geschieht automatisch). Vergleichbar mit DRAM Zellen, diese zeigen ein eben solches Verhalten. EEPROMs und Flash haben damit nichts am Hut.

Lesevorgänge wirken sich also exakt genauso auf den Verschleiß aus, wie Schreibvorgänge. (das wird bei FRAM gerne unterschätzt)

Hallo,

combie: Lesevorgänge wirken sich also exakt genauso auf den Verschleiß aus, wie Schreibvorgänge. (das wird bei FRAM gerne unterschätzt)

mir sind im Moment nur Zahlen wie 10 hoch 14 Schreib-/Lesezyklen und 150 Jahre Datenerhalt bei 65 Grad Umgebungstemperatur bekannt, das wäre für mich durchaus "ewig".

Gruß aus Berlin Michael

Moin,

Ich habe nicht gefragt, weil es nötig ist.
Ich brauche das nicht.
Ich wollte auch nicht wissen, ob es sinnvoll ist.

Ich wollte wissen, ob es das gibt.

Gibt esbzwei Lösungen, eine mit und eine ohne Speichermanagement. Dann hätte ich die Lösung mit Speichermanagement gewählt.
Einfach nur, weil ich mir denke, dass das die fortschrittlichere Lösung ist.

Sonst geht es um nix anderes.

Lieben Gruß,
Chris

Auch uralt-einfach-Lösungen können die bessere Lösung sein. Nicht alles was man mit einem Smartphon machen kann ist sinnvoll und kann nicht anders bessere gemacht werden. Grüße Uwe

Sehr schöner Satz.

Gruß Tommy

Gibt es bestimmt. Such mal nach „Lib für 3.Wahl Auschuss FRAM“ :)

Hi

ElEspanol:
Gibt es bestimmt.
Such mal nach „Lib für 3.Wahl Auschuss FRAM“ :slight_smile:

Hmm … Das ist jetzt blöd - ich finde NIchts, was auch nur ansatzweise mit FRam zu tun hätte … FRAME, also Bilder-Zeugs und Uni-Links gibt’s - aber NIX mit FRam.

@TO
Warum sollte sich Jemand die Mühe machen, eine Lib zu schreiben, Die die ‘Abnutzung’ der Speicherstellen gleichmäßig verteilt, wo Es diese Abnutzung - zumindest laut Herstellerangaben - gar nicht gibt? Das kostet nur SPeicher und der User wird wohl zu einer Lib greifen, Die nicht den halben Speicher zumüllt um unnötiges, gar sinnloses, Zeug macht.
Ok, Du fragtest, ob’s so was gibt: Meines Wissen nach: NEIN
ABER
Wenn Du eine EEprom-Lib nimmst, und Deren Zugriffe auf FRam ummünzt?
Wäre halt toll, wenn diese EEprom-Lib leveling unterstützt - sonst bist Du keinen Schritt weiter.

MfG

Wenn Du eine EEprom-Lib nimmst, und Deren Zugriffe auf FRam ummünzt?

Das wird nicht helfen!

Denn ein für EEPROM oder Flash taugliches Verfahren wird versuchen die Lösch Vorgänge zu minimieren.

Hier wird man sich genauso auf die Lesevorgänge konzentrieren müssen. Sonst ist es, schnell mal eben, ein buddeln auf der falschen Baustelle.

z.B. ein Scheib/Lese Cache wäre ein erster Anfang, die Geschichte anzugehen.

Oder sich eine alternative Speichermethode suchen, welche das Problem nicht hat. z.B. das oben schon genannte statische NVRAM

Hi

Hier scheint der Ansatz ja zu sein 'weil ich das so will' - Sinn und Unsinn wurden ja schon abgestraft.

Dein Einwand ist aber wohl korrekt, wenn FRam eben beim Lesen leidet (und intern erneut beschrieben wird). Hörte ich noch nicht von, klingt aber logisch - ist mir aber, sorry, ziemlich egal. Selbst wenn die Dinger nur die Hälfte einhalten, bin ich lange tot, bevor ich Fehler feststellen könnte.

MfG

Meinetwegen kann der Thread gerne closed werden.....