Hilfe bei Transistor Vorwiderstand

Auch das wurde schon mal gesagt: der NPN ist nur nötig wenn die Versorgungsspannung größer als die Gatespannung ist. Hier ist alles 3,3V also kann man den FET direkt ansteuern

Serenifly:
Auch das wurde schon mal gesagt: der NPN ist nur nötig wenn die Versorgungsspannung größer als die Gatespannung ist. Hier ist alles 3,3V also kann man den FET direkt ansteuern

Wollte gerade auf Uwe reagieren aber du bist schneller.

Also nur den P-Channel Mosfet am Gate mit HM-18 verbinden, dann Signal auf High von Bluettoth Modul an dem Gate des FET und der Stromfluss zwischen Drain an Source ist geben und mein Arduino startet?

Der Transistor ist falsch herum. Und das mit der Batterie ist auch falsch eingezeichnet, da der eine Anschluss Masse ist (auch wenn ich verstehe was du meinst). Source kommt bei P-FETs an Vcc. Und Drain Richtung Masse. Anders herum als bei N-FETs. Die Steuerspannung ist aber immer noch Vgs (gate-source). Wenn am Gate 3,3V anliegt ist Vgs also 0V und der Transistor sperrt. Wenn 0V anliegt hat man 0V-3,3V = -3,3V und der Transistor leitet.

Das ist auch der Grund weshalb man u.U. den NPN braucht. 5V-12V = -7V. Damit sperrt der Transistor nie. Der NPN dient dann dazu die Gate-Spannung anzuheben

Der Widerstand kann kleiner sein. Das wird zwar auch so gehen da die Schaltgeschwindigkeit egal ist, aber ein paar mA werden hier schon gehen

Etwa so (Ausgangspunkt: Bild von #43):

siehe auch Nick Gammon: High side driver

Danke, FET habe ich bestellt.