IRLML schalten mit Wemos

Ich habe bisher nur mit 5V vom Arduino geschalten, nun hab ich den Wemos dran, die Lüfter "spinnen" und Mosfet wird "warm".

Angeschlossen ist der so:
Pin ->10K -> Gate
Gate -> 1M -> Source
Drain -> Lüfter GND
Source -> GND

Datenblatt ist leider nicht alles für mich, da bin ich auf eure Hilfe angewiesen.
Müssen die Widerstände gewechselt werden, welche? Wie berechnet man die?
Ich dachte ich kann einfach den Wemos anklemmen und schon rennts....

Datenblatt ist leider nicht alles für mich,

Schade....

Das Datenblatt sagt "maximal nötige Gate Threshold Voltage 2,3V bei 25µA".

Du möchtest wahrscheinlich deutlich mehr als 0,000025A schalten.

Faustformel (für DatenblattNichtVersteher):
Um mit einem FET eine nennenswerte Leistung schalten zu können, ist die doppelte Vgs(th) nötig.

Hier also 2,3V * 2 = 4,6V

Für Details das Datenblatt befragen. (notwendig)
Diagramme lesen lernen.

Wie ich mich immer freue wenn combie antwortet :slight_smile:

Ja wenn mal einer ne vernünftige Datenblatt Erklärung macht, dann könnt man evtl noch was draus lesen könne, weiß der Geier was Gate Threshold Voltage heißt.

Ich will 1.2A schalten, bei 12V.
Oder 0.7A bei 24V.

Was eignet sich denn dafür?

Tja....
Bei den für 3,3V geeigneten LogikLevelFET ist die Luft ganz schön dünn.....
Vielleicht gibts ein paar SMD Dinger.
z.B. IRF7401

Wie du merkst, kann ich dir keine konkrete Antwort geben.
(mir stellt sich das Problem nicht)

Wobei meine ESP bis zu 25A schalten dürfen.

Machen sie auch.
Nutze dafür ein kleines Helferlein: BTS441T
In der Familie gibts auch noch kleinere.

versuch mal einen IRLML 2502 und mache die Widerstände kleiner 290 Ohm und 47 k

IRLML 2502 hab ich auch probiert, dasselbe spiel.
Was ein BTS441T ist und macht…ka

am aussagekräftigsten sind immer die Bedingungen, zu denen RDS(on) angegeben wird. Beim IRLML2502 z. B. sieht man, dass da ein Wert für VGS von 2,5 Volt definiert ist.

Damit ist er tauglich für 3,3 Volt Controller. Ein anderer Typ, der nicht im SMD daherkommt wäre z. B. der IRF3708.

Zum Testen kannst Du den Widerstand zwischen Gate und Controller auch ganz weglassen … das gibt dann aber ein wenig EMV Störausstrahlung beim PWM Betrieb :wink: Die von Dir angegeben Werte von 10k zwischen Pin und Gate bzw. 1M zwischen Gate und Source sind um mehrere Stellen zu groß gegriffen. “Normale” Werte zwischen Pin und Gate sind um 100 Ohm … zwischen Gate und Source um 10k. Höhere Werte (vor allem zwischen Pin und Gate) führen zu einem langsameren Umladen der Gate-Kapazität und damit zu einem längeren Verweilen im Linearbetrieb und damit wiederum zu einer stärkeren Erwärmung!

PS: die Treshhold-Spannung wird immer wieder genannt wenn es darum geht, ein MOSFET Datenblatt zu lesen. Wenn man ihn aber im Schaltbetrieb verwenden möchte, ist das aber eine der überflüssigsten Angaben überhaupt. Sie sagt nämlich nur, ab welcher Gate-Spannung der MOSFET gerade so anfängt zu leiten … allerdings mit einem sehr hohen Widerstand der in der Folge logischerweise auch zu einer sehr hohen Erwärmung führt. Deshalb sollte man den Wert schlicht ignorieren.

Bleiben denn die Widerstände bei 3V und 5V dieselben?

Bleiben denn die Widerstände bei 3V und 5V dieselben?

Gähn…

Der Pulldown ist unkritisch.
Warum sollte der sich ändern…

Zwischen 10k und 200k sollte für deine Anwendung ok sein.
Für eine genauere Betrachtung ist die Gate Kapazität des Transistors wichtig.

Der Gatewiderstand sollte groß genug sein, um eine Schwingneigung zu dämpfen.
Und klein genug sein um ein schnelles Umladen zu ermöglichen.
Ich schätze mal, dass 10R bis 100R bei 3,3V voll ok sind.
Je größer desto wärmer wird der der Transistor im Schaltvorgang.
Je kleiner desto mehr Störungen.

Und wie immer, wenn es keine passenden FET gibt:
Setze einen Treiber davor, und alle deine Problem sind weg

PS: die Treshhold-Spannung wird immer wieder genannt wenn es darum geht, ein MOSFET Datenblatt zu lesen. Wenn man ihn aber im Schaltbetrieb verwenden möchte, ist das aber eine der überflüssigsten Angaben überhaupt. Sie sagt nämlich nur, ab welcher Gate-Spannung der MOSFET gerade so anfängt zu leiten … allerdings mit einem sehr hohen Widerstand der in der Folge logischerweise auch zu einer sehr hohen Erwärmung führt. Deshalb sollte man den Wert schlicht ignorieren.

Welch ein Unsinn!
Wie kann man nur auf die absurde Idee kommen, einen Schalttransistor im Bereich Vgs(th) zu betreiben.
Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.

Vorm FET ein FET setzen, ist ja ma echt klasse, und dass im Jahr 2017. (den Vorschlag hab ich schon in anderen Foren gelesen)

100R und 10K Pulldown dasselbe spiel, beim 2502

combie:
Welch ein Unsinn!
Wie kann man nur auf die absurde Idee kommen, einen Schalttransistor im Bereich Vgs(th) zu betreiben.
Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.

Dann lies meinen Beitrag nochmal sorgfältig durch: ich sage doch genau das gleiche. Die Angabe des Treshhold-Wertes ist eine der überflüssigsten im ganzen Datenblatt :slight_smile: und wirklich nur relevant, wenn man den MOSFET absichtlich im Linear-Betrieb fahren möchte ... was bei 99,9% aller Fälle, die wir hier diskutieren NIE der Fall sein wird :slight_smile:

PS: und ich war es übrigens auch nicht, der mit einer so verquerten Theorie wie dieser um's Eck kam:

combie:
Um mit einem FET eine nennenswerte Leistung schalten zu können, ist die doppelte Vgs(th) nötig.

Hier also 2,3V * 2 = 4,6V

Das kann man so pauschal nämlich auch nicht sagen!

Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.

Mit analogWriteFreq(70000); drehen die Lüfter schneller als bei 30000, sonst seh ich da kein Unterschied. Bei 20000Hz summen die.

combie:
Nein, mgcss, diese Sicht der Dinge finde ich nicht OK.

was passt Dir denn nicht?

analogWriteFreq(70000)

70kHz ?

Und du wunderst dich, dass der Transistor warm wird?

drehen die Lüfter schneller als bei 30000

Das ist ein recht klarer Nachweis, dass der Transistor gar nicht mehr abschaltet.
Also eher linear betreiben wird.
Und dann wird er warm.
Das ist dann auch OK so.

Warm ist eine sache, der schaltet garnicht aus, egal wieviel Khz.

dass der Transistor gar nicht mehr abschaltet.

Betont auf nicht mehr?

mgcss:
was passt Dir denn nicht?

PS: und ich war es übrigens auch nicht, der mit einer so verquerten Theorie wie dieser um's Eck kam:

Vielleicht sollten wir erstmal den Unterschied zwischen Faustformel/Fausregel und Theorie klären.
Denn der scheint dir noch unbekannt zu sein.

Der 2502 sollte doch auch passen, bei 2.5V über 3A schalten.
Vielleicht waren die Widerstände zu hoch gewählt und jetzt ist der hin.
Aber theoretisch, wie ihr es erklärt habt, müsste es passen.

Noch was, Lüfter hat 15 Watt, soll ich auf die Ampere oder Watt schauen? Irgendwie ist mir das noch nicht klar. Weil laut Ampere könnte der Mosfet es packen, laut Watt aber nicht.

Betont auf nicht mehr?

Du möchtest den Motor mit einem schönen, scharfkantigen PWM versorgen.
Bei 70kHz

Ohne das jetzt konkret nach gerechnet zu haben, wirst du dafür Umladeströme, bis in den einstelligen Ampere Bereich benötigen.
Das kann der ESP nicht leisten.

laut Watt aber nicht

Ja, 15W dürfen im FET nicht dauernd umgesetzt werden.
Aber warum willst du das denn auch?

combie:
Vielleicht sollten wir erstmal den Unterschied zwischen Faustformel/Fausregel und Theorie klären.
Denn der scheint dir noch unbekannt zu sein.

Wenn ich einen BUZ11 als Beispiel nehme, hat der eine Treshhold-Spannung von typ. 3 Volt. Demnach wäre es nach Deiner Faustformel ok, ihn mit 6 Volt anzusteuern. Tatsächlich hat er aber eine definierten RDS(on) erst bei 10 Volt. Damit wäre Deine Faustformel sogar noch daneben, wenn sie statt mit x 2 mit x 3 rechnen würde. Die Ableitung der Sättigungsspannung aus der Treshhold-Spannung ist schlicht untauglich … selbst als Faustformel.

Soetwas überhaupt in die Welt zu setzen, sehe ich als nicht in Ordnung an. Genauso wie Deine Kritik weiter oben nicht in Ordnung war, da sie schlicht auf mangelndem Textverständnis beruhte!