Ich habe mir bei Reichelt die IGBTs angesehen und habe den Eindruck, dass die geeigneten wesentlich teurer wären, als die MOSFETs die ich bisher gefunden habe (z.B. IRFP2907 [75V,209A]).
Das mit der Z-Diode verstehe ich schon wesentlich besser, als bisher 
Anbei die Skizze mit eingefügter Z-Diode. Eine Sache ist aber noch unklar: Ich muss die Z-Diode in diesem Fall doch so aussuchen, dass die Durchbruchsspannung größer ist, als 50 V.
Die entsprechenden Dioden (bei Reichelt) haben aber eine maximale Verlustleistung von 2W, bzw. 60W für eine Zeit < 10ms. Ist das nicht viel zu wenig?
