Je veux commander un circuit avec plusieurs équipements, pour tester je place un petit moteur brushed avec un digispark car il fonctionne même à une tension faible.
J'ai un accu li-ion1S branché sur un bms qui alimente le tout.
Je ne suis pas un grand connaisseur en mosfet et en regardant sur le web j'ai réalisé ce montage. L'idée est que le KA75330 bloque le digispark dès qu'il n'a plus au moins 3.3V. P2 est à 0 au démarrage et sur ordre passe à 1, il active le 7002 qui active le mosfet P qui alimente le petit moteur. Le circuit fonctionne bien plusieurs dizaines de minutes. Je coupe l'alimentation et plus tard je reconnecte.
Pas d'alim sur le digispark, le BMS a coupé, je réactive le bms, le digispark repart mais le mosfet P est chaud et n'est jamais plus passant bien que sa gate soit à 0.
Au tapis : un IRF 5210s puis un autre dont je n'arrive pas à lire le nom des trucs pour qui les ampères ne font pas peur.
Puisque le bms déclenche c'est qu'il y a un bon appel de courant, est-ce parce que le mosfet est mort ? Pourquoi est-il mort ?
Ne devrais-je pas mettre une résistance en série avec la gate ? Valeur ?
Ou bien est-ce le trafic à l'initialisation du digispark sur P2, le bootloader teste la sortie USB ? et P2 bouge trop ?
Son VGS est donc de l'ordre de 3,3V C'est insuffisant il est donné 3V typ mais 4V max. Et il y a peu de chances qu'on ait le meilleur des transistors. Du coup il n'est pas possible de le saturer et il chauffe.
SI la charge est un brushless, il manque une diode de roue libre aux bornes du moteur.
"Gate à 0" n'implique pas que le VGS soit correct, condition pour que les 'ampères ne fassent pas peur' à ton MOSFET P, @fr Si VGS n'est pas suffisant pour l'exemplaire que tu as en mains, les Ampères combinés aux Volts font cruellement souffrir le MOSFET !!
Deux écoles s'affrontent lorsque l'on bloque le transistor car le courant ne peut s'annuler instantanément lors du blocage. Ce courant va donc passer dans le transistor qui est "bloqué"
certains disent qu'il peut y avoir une étincelle dans le transistor qui peut le détruire
certains disent que la tension va grimper jusqu'au moment ou le transistor "lâche" et cela fait une pointe de tension élevée qui fait une perturbation électromagnétique importante.
Dans les deux cas c'est à éviter.
Cela veut dire que si on met cette tension le transistor se sature. C'est évidemment donné pour un certain courant Drain. Si on n'a pas de pot, il faut mettre au moins 2,4V pour saturer le transistor. Si on a du pot, pour 1,5V le transistor est déjà saturé. Mais comme on ne peut pas le prévoir, il vaut mieux se fixer sur le plus grand.
Pour mon info quand on donne VG(th) 1.5 - 2.4 cela veut-il dire quoi ?
comme tout compsoant , les caractéristiques d'une réference donnée varient d'un exemplaire l'autre (poduction en séri)
ici on sait qu'avec 1,5V entre Source et Grille la pluprat des composants de la référence vont s'entre-ouvrir et commencer laisser passer un peu de courant; IL s'agit la du comportement Typique
le composant le plus récalitrant de tous ceux produits commencera lui à s'entre-ouvrir avec 3V entre Source et Grille.
PS : réponse éditée simultanément à @vileroi , je laisse quand même cette redondance!!
ici , sauf déveine sérieuse, mauvaise pioche... avec 3,7V on atteindra très probablemet une bonne saturation du MOSFET-P, courantt élevé, faible chute de tension , faible échauffement
Merci à tous les deux.
Mon p serait résolu si le mos P servait à couper une ligne à 7v
Je pensais que c'était la tension de commande, c'est dur l'électronique sur le tas !
TME : port pas au niveau des chinois !
Rien chez RS ?
C'est l'énergie magnétique, crée par le passage du courant qui s'évacue en s'opposant à la coupure du courant.
La formule a été établie par Heinrich Lentz (1804 - 1865) d'après les travaux de messieurs Faraday et Laplace.
Quand on coupe un flux magnétique il se produit une tension qui tend à s'opposer à la diminution du flux.
e = dΦ / dt
Φ est le flux magnétique -> dΦ est la variation du flux
On a aussi la formule Φ = L * I
L = inductance du bobinage en henry (H)
I = valeur du courant en ampères. --> dI = variation du courant
dt = temps mis pour la coupure en secondes
Dans le cas de la coupure d'un courant dans un bobinage, on préfère utiliser la forme :
e= L* dI / dt
Alors bien évidement la tension dite "de Lentz" dépend du courant coupé et de la valeur de l'inductance, mais surtout de la vitesse à laquelle le courant est coupé.
Avec les transistors modernes qui sont de plus en plus rapides cette tension peut dépasser allègrement la centaine de volts, ce qui ramené aux dimensions d'un transistor (unité de distance le micron) cré des champs électriques considérables qui peuvent provoquer un arc électrique.
Si la coupure se fait en 1 ms le produit L*dI est multiplié par 1000.
Pour en revenir à ton sujet, il ne serait pas étonnant que le composant soit mort, s'il ne l'est pas encore il aura été fragilisé et ne durera pas longtemps.
