NPN sur carte ARDUINO

Bonjour tout le monde francophone XD Je viens d'acheter une carte MEGA 2560, et j'attends l'arrivé du moteur stepper avec la carte ULN2003A, pour les premiers tests pratiques, mais je ne comprends pas l'adaptation que certain font avec des résistances allant de 1Kohm à 2,2Kohm, dans le datasheet je ne trouve pas l'information de limite de tension et courant supporté à la BASE du transistor !

L'arduino donne du 5V 40mah, donc avec une résistance de 1Kohm ça fait 5mah à la BASE ? Quelqu'un peut me dire quelle est la ligne du tableau du datasheet donne l'info sur l'entrée BASE ?

Merci d'avance

Bonjour,

Pourrais tu préciser quel transistor NPN tu utilises ?

L'arduino donne du 5V 40mah

Trois remarques : 1) ce ne sont pas mAh = milli ampère heure mais des mA tout court. les A*h sont une unité de capacité utilisée dans les batteries ou les piles.

2) Les micro contrôleur Atmel sont garantis pour 20 mA max. Les 40 mA sont des limites absolues a ne jamais dépasser et à n'atteindre qu'OCCASIONNELLEMENT et jamais en service permanent

3) la troisième découle de la deuxième : ne jamais prendre pour argent comptant ce qui est écrit sur le site arduino : [u]le juge de paix c'est la datasheet du micro[/u] qui équipe la carte, à télécharger sur le site du fabricant Atmel.

Ensuite pour le transistor et le calcul des résistances voir : http://forum.arduino.cc/index.php?topic=100727.0

et pour finir parce que je présent le pire télécharge la datasheet des ULN2003. Cela te donnera l'occasion de voir que les ULN sont des montages Darlington, montages qui sont expliqués dans le tuto en référence. J'ai bien dit des car dans les ULN il y a des références avec résistances intégrées et d'autre références qui n'en ont pas.

Merci, j'ai un peu lu la doc, le transistor est un ULN2003A donc dans le datasheet il y a une RB de 2,7Kohm. L'avantage des Darlington c'est le très bon gain même pour les transistor de puissance.

Mais je constate qu'il n'y a pas l'indication directe du gain hfe sur tout les datasheet !

Par exemple, pour le transistor MJ11012 j'ai ces informations: High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC − 20 Adc (JE NE COMPREND PAS !) Collector-Emitter Saturation Voltage | Vce(sat) (IC = 20 Adc, IB = 200 mAdc) 3.5vdc (IC = 30 Adc, IB = 300 mAdc) 5vdc

Donc si je calcul, hfe= ic/ib = 20/0,2= 100ib ???

Donc si je calcul, hfe= ic/ib = 20/0,2= 100ib ???

Si tu as lu le tuto que je t'ai indiqué tu devrais voir que c'est du gain forcé. Hfe min = 1000 donc pour être absolument certain de bien saturer le transistor on prend généralement hfe forcé = hfe min/10. donc si tu voit hfe forcé = 100 c'est normal.

Mais ce transistor est pour des très fort courant (20 A), il n'a rien a voir avec ceux de l'ULN, il faut éviter de tout mélanger. De plus 20A cela commence à être limite pour un transistor bipolaire.

Ok je comprend mieux maintenant ! Pour un exemple c'est vrai que 20A c'est beaucoup, car ça ferait 70W en joule :grin: et en plus il a besoin d'une amplification à la base si je veux le brancher sur un microcontroleur.

Si le transistor est utilisé comme interrupteur par saturation, avec l'ampérage maxi à la base pour être en gain forcé, je peux faire passer n'importe qu'elle ampérage en-dessous de ce gain sur le collecteur, ou c'est toujours proportionnel ?