dr.benway:
Io avevo letto che la SCRITTURA in EEPROM è lenta mentre l'accesso avviene in 4 cicli di clock.
In scrittura la EEPROM del 328 richiede circa 3,3 ms. Ed è ovviamente lentissima.
In lettura, come hai detto tu, richiede 4 cicli di clock. Ma la SRAM ne richiede solo 2.
Quindi anche in lettura la SRAM risulta sempre più veloce.
Se tu prendi il tuo ciclo e lo fai eseguire 1000 volte, alla fine 32 letture per 1000 sono 32000*4=128000 cicli di clock, mentre con la SRAM ne hai eseguiti la metà, 64000.