Domanda:
Ma se stacchi un filo, ad esempio il rosso, il corrispondente led si spegne?
Cosa hai usato come transistor di potenza e di segnale?
Anzi, metti lo schema completo, così si capisce bene cosa hai fatto e dove ti sei attaccato
Sei in parallelo al display pre-esistente?
... sicuro di non aver montato il MOSFET al contrario (così sembra dal tuo schema)? Verso il +12V va il Source ed il carico va sul Drain ... 
Guglielmo
Provo a girarli
Nel disegno c'è il Drain al positivo, con il diodo parassita sempre in conduzione!
Bene, l'ignoranza non ha limiti ma si può rimediare con l'aiuto dei più esperti.
Girato i mosfet, tutto ok se gli sparo dentro un segnale di almeno 2 volt.
Il TM dà sulle uscite (1-2-3-4) 2.5mv
Grazie
Mi rendo conto di avere dato per scontato molte cose. Ad esempio il circuito che ho simulato non può essere applicato direttamente nella pratica. Mentre @maurizio53 lo ha applicato pari pari (tranne per l'inversione source drain).
Il diodo led NSCW100 che compare nello schema è scelto a caso e sperimentalmente ho stabilito il valore di R1. L'obbiettivo era assorbire corrente dal drain del mosfet. Ora sul drain quando conduce ci sono 12V meno vfled=3v (scelto a caso) 12-3=9V, nel led scorre I = 9 / 330 = ~27mA (~ significa circa).
Ora i tuo segmenti fatti con le strisce lavorano a 12V e allora basta eliminare R1 e D1 e prelevare la 12V dal drain. Al posto del simbolo GND a cui è connessa la R1 c'è il "open drain" di un mosfet a canale N, oppure un bjt NPN.
Da adesso considera che tutto quello che viene fatto nella teoria va messo in pratica sperimentalmente, cioè realizzo in modo provvisorio su bread board il circuito e lo testo, poiché gli altri sono la copia di quello sotto test non serve replicarli in questa fase. Ad esempio manca un R da 100 ohm tra R2 e il gate di M1. Questa R100ohm può essere omessa per una prima prova, poi con l'oscilloscopio si vede la forma d'onda e se è pulita bene ma rifacciamo il test con la resistenza e noteremo un miglioramento per cui nella versione su PCB la prevediamo.
Sicuramente è da rivedere il valore di R2, riducendone il valore a anche a 1kohm (a spanne), cioè da testare. Di conseguenza R4 da 10k passa a 4.7k. Il perché di questa modifica è legata al tempo di carica e scarica della capacità Cg presente al gate di M1. Per la carica non ci sono problemi perché C-E di Q1 sono a bassa impedenza quando conduce e sul gate abbiamo ~30mV. Mentre la scarica di Cg avviene attraverso R2 il suo valore allora può essere modificato riducendolo sperimentalmente. Io non ho idea della frequenza di multiplex del TM, potrebbe essere attorno a 2ms per cifra per cui 2x6 = 12ms, se fosse così non serve variare R2 e R4.
Comunque di questo puoi accorgerti o con l'oscilloscopio oppure osservando il display con le strisce in funzione.
Ok, io passo e mi prendo un poco di tempo per me, ma sono sicuro che questa notte ci dedico un poco di tempo.
PS: per fortuna che il forum è frequentato da utenti esperti che ti hanno evidenziato gli errori.
Ciao.
Lupi della notte buonasera,
naturalmente di ignoranza parlavo della mia 
.
Posto lo schema corretto e domani lo provo, anche se ho la sensazione che bisognerà elevare di molto il segnale in ingresso! Detto ciò fatemi fare tutti gli esperimenti che volete, consideratemi un apprendista stregone. Ho fatto per tutta la vita l'incassatore di pietre preziose (più genericamente orafo) ed ho una manualità eccezionale al contrario della teoria elettronica, anche se mi piace tantissimo. Lo stampato di oggi per esempio l'ho messo in piedi in un'ora.
Ok, modifica il disegno rimuovendo il D1 e R1, sul drain e su gnd ci metti un morsetto di quelli a vite. Questa è l'uscita a cui collegare un cifra. I catodi sono connessi a dei fili volanti, da connettere anche a caldo (cioè con l'alimentazione 12V presente. Il filo di un catodo a GND. Deve restare acceso. In M1 scorre ~100mA. Mantieni così e tocca il case del mosfet per rilevare la temperatura. Collega altro filo a gnd, ripeti il test della temperatura. Vai avanti fino avere tutti gli 8 fili connessi a GND. 100 x 8 = 800mA.
L'immagine seguente mostra la potenza dissipata in calore quando scorrono in M1 800mA.
Questo test serve a verificare che la differenza tra simulazione e realtà sono trascurabili.
Mentre questa mostra la corrente assorbita dal gate, che come si vede è asimmetrica.
Un picco a 3.2mA quando si scarica Cg. e un picco a -4.8mA quando si carica. Per ottenere simmetria si deve ridurre R2 a 470 ohm. Ma non è un problema da affrontare in questa fase. Quindi ok per i valori presenti nello schema, ricorda di aggiungere anche la R100 tra R2 e pin 1 di M1, ovviamente devi rimuove la wire che li collega nello schema attuale. Anche nella realizzazione R100 ci deve essere, poi per i test può essere ponticellata con un pezzetto di filo.
Il 2803 questo qui:
OUT va al catodo, già il chip ha 8 driver open collector pin OUT.
Al pin IN ci andrà connesso un bjt PNP BC557.
ULN2803 puo erogare 500mA per ogni uscita ma tu ne sfrutterai solo 100mA, in totale tutti le 8 uscite non devono dissipare in calore 2.25W. Ogni uscita dissipa circa 100mW x 8 800mW. Scalderà ma dovrebbe reggere a lungo con una temperatura di circa 50°C anche meno.
Per cui se non lo hai acquistalo per fare una prova, diversamente se non vuol acquistarlo ti serviranno 8 BC639 e 8 BC557 e un poco di resistenze.
Ciao.
Ok grazie
vediamo se lo trovo velocemente
Scusa 2803 e che il datasheet è unico e mi sono confuso.
Ciao.
Buonasera Maurotec
il materiale arriverà in due o tre giorni.
2803 e 2804 + BC639 e BC557
Ciao
ops, vabbè il 639 va pure bene, io avevo in mente il BC337-40.
BC337-40(NPN) e BC327-40(PNP) sono da tenere dentro, perché sono talmente di uso generico che li puoi usare sia come amplificatori di tensione che di corrente. Hanno un guadagno che arriva a 400 volte la corrente di base.
Mentre 639(NPN) e 640(PNP) ha guadagno massimo di 100.
I 337 e 327 in versione smd sono BC817 e BC807.
Va comunque benissimo il 639.
Ciao.
Buongiorno
ho preso anche quelli, arrivano 11 dicembre.
Ciao
Ok lo schema è corretto. Ma il mio test non prevede l'uso del TM.
Al display con le strisce scollega tutti gli anodi ad eccezione di CA1(12)
scollega il tm. collega tutti i catodi a gnd (o come detto uno per volta).
Il display deve risultare spento. Ora in1 lo colleghi a caldo a +5V.
Solo un digit (se tutti i catodi sono a gnd) si deve accendere. Ora puoi misurare la corrente e controllare la temperatura del mosfet.
Questo prova statica serve come riferimento, puoi fare questo test?
Ciao.
L'IRF9540N non è logic level! Per andare bene in conduzione vuole una Vgs di almeno -7V! Apposta diventa bollente, e non è nemmeno estate!
Devi usare dei mosfet canale P logic level:
https://www.google.com/search?&q=p+mosfet+logic+level
No, riguarda lo schema, quando Q1 è polarizzato C-E sono a bassa impedenza, sul gate ci sono circa 30mV (89.6mV). Quando Q1 è non polarizzato il gate si trova a 12V il tutto con riferimento a GND.
Mentre con riferimento a 12V, il gate si trova a ~ -12V quando Q1 è polarizzato.
Ciao.
Sì, hai ragione. Avevo visto che era corretto. Oggi, leggendo 50°C, ho pensato che il problema stesse lì.
Allora basta un'aletta di raffreddamento a U:
Non dovrebbe aumentare di temperatura così tanto.
Io non l'ho IRF9540N ho IRF9640.
Vgs = -11.927
ID = 800mA
RDSon = 0.5 ohm
VDSon = 264.3mV
Pw = 211.5mW
GR1 = 5V
Proprio per evitare fraintendimenti ho chiesto quel test che mette in evidenza la corrente assorbita da un segmento. @maurizio53 dice 450mA. Ma se lo ha rilevato il tester e con lo schema che ha postato questa misura non è indicativa. Serve il test statico per verificare che il mosfet scalda appena. Se poi con il test dinamico scalda tanto allora c'è un problema nei tempi di accensione/spegnimento troppo alti, che però a me non risultano così tanto alti.
Datman tu hai capito se il TM si può configurare per la massima corrente e massima intensità e come si fa da software?
Ciao.
