Du meinst: V(BR)EB
Richtig?
Aber das ist ja ein Zustand der bei dieser Schaltung nie eintreten kann.
80V liegen am Emitter an, dann müssten ja 85V an der Basis anliegen, damit der Breakdown erfolgt.
Kann ja gar nicht bei dir.
Die Spannung an der Basis ist immer kleiner oder gleich 80V
Wo sollen die her kommen?
ich werde Pin1 und Pin2 über Stecker verbinden und wenn dieser einen leichten Wackler hat ist die Basis ja kurz ohne bezug. In dem Moment verhällt sich die Basis ja wie eine Antenne. Um das zu verhindern setze ich mit dem R3 einen Massebezug.(ist glaub ich nicht unbedingt notwendig aber es sollte auch nicht schaden)
Jetzt hab ichs auch verstanden....vielen dank für eure hilfe:)
Das hatte ich dir in Post #12 schon beschrieben.
Ja jetzt weiß ich wie du das mit den -5V gemeint hast.
Es ist ein Unterschied zwischen UBE und UEB. Zwischen Emitter und Basis ist eine Diode darum die 0,7V wenn der Transistor durchsteuert. Andererseits in Sperrichtung ist diese Diode mit einer 5V Z-Diode vergleichbar.
Die Polung ist zwischen NPN und PNP umgekehrt.
Grüße Uwe
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