mit Arduino Pro mini (3,3v) Transistor schalten

Hoffe ich nerve jetzt nicht damit, aber es ist alles neu für mich. Also wenn es wirklich keine Verluste gibt, dann werde ich jetzt der Einfachheit wegen den Verbraucher mit GND schalten. Und dann HIGH=Aus und LOW=An. Ich habe jetzt nämlich keinen BCN und keine Widerstände da um deine Schaltung aufzubauen.

Nein ... nimm mein Schaltungsbeispiel mit dem IRLZ34 und ersetze ihn durch einen N-Kanal MOSFET, der bereits ab 3 Volt sicher schaltet (wie der von mir vorgeschlagenen IRF3708). Die Widerstände kannst Du 1:1 so übernehmen. Diese Schaltung wird dann durch ein HIGH = An und LOW = Aus geschalten.

Ich gebe ja zu, dass alles zusammen etwas verwirrend ist. Es gibt zwei unterschiedliche Arten von MOSFET's (N-Kanal / P-Kanal) und zwei verschiede Schaltungskonzepte (High-Side / Low-Side). Daraus ergeben sich insgesamt 4 mögliche Kombinationen.

Das was Du brauchst ist ein Low-Side Switch mit einem N-Kanal MOSFET ... und das ist genau die Beispielschaltung mit dem IRLZ34. Du musst nur den MOSFET austauschen, damit es auch mit 3 Volt läuft.

Meine Verwirrung ist inzwischen soweit abgeklungen:

Das übliche ist Low Side per N-Channel MOSFET.

Wenn der mangels ausreichendem VGS einen NPN davor braucht, kann man - um die Invertierte Logik zu vermeiden - einen P-Channel MOSFET nehmen und zwischen +V und Last setzen.

Da die Polarität umgekehrt ist, kommt S an +12V und G und D ( an der Last ) sind weniger positiv geladen.
VGS ist die Spannung an G relativ zu S und damit 0 oder negativ.

Üblicherweise ist das Symbol für einen P-MOSFET auch etwas anders? Das trug evtl. auch zur Verwirrung bei...P-Channel.jpg

Welches nun Pin 1, 2, 3 bei einem P-Channel MOSFET ist und ob das bei allen TO-220 Gehäusen gleich ist, bleibt noch offen :wink:

uhhh ... ahhh ... Bauchschmerzen ... aber ich will mal nicht übergenau sein :wink:

Nur über die korrekte Beschaltung des P-Kanal Typen solltest Du nochmal nachdenken. Sieht aus, als wäre das ein Screen-Copy von Spice ... dann simulier doch mal eine Schaltung mit einem Rechteck-Signal am Gate.

Und ja, die Schaltsymbole für P- und N-Kanal Typen unterschieden sich (genau genommen gibt es sogar noch zwei weitere Symbole ... aber das würde jetzt wirklich zu weit führen).

Ich sollte vielleicht wirklich mal einen kleinen Artikel zum Thema "Einführung in MOSFET's" schreiben :wink:

mgcss:
Und ja, die Schaltsymbole für P- und N-Kanal Typen unterschieden sich

Dann ist bei dir am IRF5305 der Pin 2 die Source eines P-Channel Transistors, richtig ?
Du verstehst dann auch die Verwirrung ?

Ja, werde mal mit LTSpice spielen. Das hat mir immer viel gebracht.

der IRF5305 hat eine GDS Konfiguration:

1 = Gate
2 = Drain
3 = Source
(4 = Drain ... das ist die Kühlfahne auf der Rückseite des TO220 Gehäuses)

Das ist so auch schön im Datenblatt abgebildet. Deshalb meinte ich auch, dass Du über die Beschaltung nochmal nachdenken solltest :wink:

Deshalb meinte ich auch, dass Du über die Beschaltung nochmal nachdenken solltest :wink:

Danke, aber hier MOSFET as a Switch - Using Power MOSFET Switching wird in der zweiten Hälfte auch ein P_Channel MOSFET erwähnt.
Mit S an +V ...

yup Du hast Recht ... da hab ich mich jetzt vertan :slight_smile:

Ja, werde mal mit LTSpice spielen. Das hat mir immer viel gebracht.

Problem ist bei LTSPice, ein gängiges Bauteil in deren Liste zu finden :wink:

Die Schaltung selber ist eigentlich kein Thema ( Super Rechteck bei meinen 500 Hz )
PMOSFET.jpg

mgcss:
Nein ... nimm mein Schaltungsbeispiel mit dem IRLZ34 und ersetze ihn durch einen N-Kanal MOSFET, der bereits ab 3 Volt sicher schaltet (wie der von mir vorgeschlagenen IRF3708). Die Widerstände kannst Du 1:1 so übernehmen. Diese Schaltung wird dann durch ein HIGH = An und LOW = Aus geschalten.

Ich gebe ja zu, dass alles zusammen etwas verwirrend ist. Es gibt zwei unterschiedliche Arten von MOSFET's (N-Kanal / P-Kanal) und zwei verschiede Schaltungskonzepte (High-Side / Low-Side). Daraus ergeben sich insgesamt 4 mögliche Kombinationen.

Das was Du brauchst ist ein Low-Side Switch mit einem N-Kanal MOSFET ... und das ist genau die Beispielschaltung mit dem IRLZ34. Du musst nur den MOSFET austauschen, damit es auch mit 3 Volt läuft.

Hallo,
es ist etwas her, aber ich habe jetzt die Schaltung genauso aufgebaut wie auf deinem Schaltbild. Das Problem zu Beginn war, dass der Transistor nicht geschaltet hat und das GSM-Modul nicht ansprang. Auf den Rat eines Kollegen habe ich dann den Vorwiderstand (Arduino -> Gate) von 100 auf 1100 Ohm erhöht. Seine Vermutung lag darin, dass zu viel Strom vom Arduino fließt und dadurch die Spannung eingebrochen ist, sodass die die Mindestspannung für das GSM-Modul nicht mehr erreicht wurde. Wie dem auch sei, jetzt funktioniert es, allerdings noch nicht so wie es soll. Wenn ich das GSM-Modul direkt an ein Netzteil anschließe, schaltet es sich bereits ab 3,3 V problemlos ein. Schalte ich jedoch das GSM-Modul wie in der Schaltung, wird mindestens 3,8 V benötigt, damit das GSM-Modul sich einschaltet. Ich habe die Spannung direkt am GSM-Modul gemessen, diese beträgt auch 3,8 V. Es muss also darin liegen, dass der Transistor in dieser Schaltung erst bei 3,8 V voll durchschaltet. Laut Datenblatt sollte er dies jedoch schon bei 3,3 V getan haben. Die 3,8 V erreiche ich nur bei randvoller Batterie, deshalb sollte er auch noch bei 3,3 V schalten können, um auch bei halber Kapazität noch zu schalten. Irgendwelche Ratschläge?

Welches Schaltbild meinst Du? Post #11 unten?

Mit R1 von 180 Ohm kann der Ausgang bei 3,3V nicht überlastet werden. In obigem Schaltbild bildet R2 mit R1 einen Spannungsteiler, was das schlechte Schaltverhalten erklären könnte, vor allem wenn R1 zu hoch gewählt wird. Deshalb würde ich R2 an den Arduino Ausgang anschließen, nicht ans Gate, damit er keinen Spannungsteiler mit R1 bildet.

Falls Du mehrere FET zur Verfügung hast, kannst Du Dir ggf. einen aussuchen, der eine besonders kleine Threshold-Spannung hat, d.h. bei der kleinsten Gate-Spannung durchschaltet. Vielleicht hast Du zufällig einen eingebaut, der knapp an der Grenze der Spezifikation liegt?

Wenn das GSM-Modul schon im Ruhezustand Probleme mit seiner Stromversorgung hat, dann könnten die beim Senden mit voller Leistung noch größer werden, wenn der FET nicht voll durchschaltet.

ItsUnreal:
...Irgendwelche Ratschläge?

JA!
Bevor jeder deinen Text dreimal durchlesen muss, um diesen zu verstehen, solltest du uns dein aktuelles Schaltbild (mit Spannungsangaben) posten, nachdem du jetzt den Aufbau vorgenommen hast.

Ratschläge hast du doch schon einige gehabt, oder?
( P - Channel + bipolar-Transistor / bipolar-Transistor + N-Channel + Logik invertieren / ... )

Sich auf die Suche nach einem MOSFET zu machen, der deutlich unter 3.3 V sicher schaltet, ist mindestens so mühsam wie zwei Bauteile mehr zu verlöten...