Voilà, il tourne automatiquement l'image et je ne sais pas comment faire pour la faire pivoter à 90°
D ailleurs je m'aperçois que j'ai connecté les résistances à la pin logique et à la masse alors que sur votre schéma initial, elles sont connectées à la gate mais la résistance R1 à la borne + de l'alimentation et non à la masse ? J'ai fait une erreur, pensez vous?
tu as déjà une incohérence Source / Drain dans le schéma entre le symbole et le texte
Voici un symbole de MOSFET canal P

Si on se fie au symbole sur ton schéma et non aux écritures c'est la Source que tu as câblé à la masse et dans ce cas le courant passe par la diode interne quelque soit l'état de la Grille (Gate)
Qu'as tu mis en réalité à la masse d'après le brochage du composant ?
C est en effet la source que j'ai connecté à la masse mais quand j'inverse le drain et la source, la pompe tourne peu importe la tension Ve venant du régulateur de tension et branché à la gate
Si tu as effectivement affaire à un Mosfet Canal P , relies la Source à + 5V, et la pompe entre Drain et masse, la Grille devrait alors jouer son rôle

Grille à 5V , pompe arrêtée
Grille à la Masse, pompe en rotation
ça y est. Alors ça fonctionne bien mais du coup comment puis je inverse la commande, 0v pompe arrêtée et 5v pompe en marche ?
Car je comprends qu'en mettant le drain sur la pompe et la pompe sur la masse, je coupe bien la tension arrivant à la source grâce au gate.
Alors ça fonctionne bien mais du coup comment puis je inverse la commande, 0v pompe arrêtée et 5v pompe en marche ?
Remplacer le Mosfet Canal P par un Mosfet canal N en mettant sa Source la masse et son Drain sur le moins de la pompe, le plus de la pompe étant relié à +5V
(Tu as encore inversé les légendes Drain et Source sur le schéma ci-dessus, l'alectrode qui est seule est le Drain, celle qui est reliée à l'electrode centrale avec la flêche est la Source)
C'est bien ce qu'il me semblait mais je ne voulais pas utiliser de canal N pour éviter le phénoméne expliqué plus haut sur la consommation inutile :
"Quand on veut alimenter un périphérique à la demande (pour augmenter son autonomie s'il fonctionne sur batterie ou pile) on préfère en général laisser ce périphérique à la masse commune du montage, (=ne pas interposer de composant entre son GND et la Masse et donc couper l'alimentation 'par le haut ' avec un Mosfet P"
Donc la question serait de savoir si je peux couper "par le haut" la pompe par un canal N et donc en ayant la pin logique à 0V?
Canal P et canal N ont chacun lleur contrainte concernant la gestion de la Grille, on ne peut max mixer les choses
Soit tu mets un canal P côté +5V et la pompe à la Masse , soit un canal N à la masse et la pompe à +5V
Si l'inversion (grille à 0V = Pompe en rotation) t'indispose alors prends la solaution du canal N , Source à la masse
Ne aps oublier la diode interne qui ne doit pas perturber le fonctionnement par une conduction indésirable (vérifier son sens)
C'est très clair, merci beaucoup.
Je voulais éviter d'activer la pin logique à 5v car la pompe serait activer peu de temps sur 24h donc pendant tout ce temps, l'arduino va consommer pour "rien" en laissant la pin au niveau haut à 5v, est ce exact?
Refais le schéma définitif , ensuite il sera possible d'évaluer le courant dans la résistance de 100KOhm entre Grille et Source pour les deux états logiques de sortie de la Pin Arduino. Parfois c'est l'état bas qui occasionne le courant le plus élevé , éviter les apriori !
Ah oui j'ignorais cela. Je ferais un schéma plus convenable avec tous les éléments dans ce cas.
J'ai également lu que l'on pouvait activer un mosfet à travers un transistor NPN ou PNP mais je dois dire que je ne comprends pas encore l'interêt, je crois qu'il appelle cela "MOsfet logic level" mais je confonds peut être les notions.
Je viens de comprendre me semble t-il que c'est utilisé lorsque la tension d'alimentation est bien plus élevée que celle de la porte logique, par exemple moteur en 12V et porte logique en 5V. Visiblement le transistor joue un rôle d'interrupteur en courant pour alimenter la gate du mosfet en 12v et permettre la transition de ce dernier. Donc pas adapté à mon cas de toute manière étant donné que ma tension d'alimentation et celle de la porte logique sont à 5V tous les deux.
Mais bon, je n'ai peut être pas bien saisi cette notion non plus ![]()
c'est bien ça
pour ce qui des des MOsfet 'Logic Level' , ce sont des Mosfets dont les tensions de seuil de conduction VGSth sont franchement inférieure aux tensions d'alimentation des circuit intégré. on test alors assuré de pouvoir les commuter avec les niveaux logiques (= logic level) Haut et Bas de ces circuit circuits intégrés sans étage intermédiaire.
Ah oui j ai compris, merci pour les explications, ça m aide énormément.
Dans mon cas je n aurais pas d autres choix d utiliser un mosfet P classique et de calculer la consommation de la pin logique et des autres composants pour estimer la durée de vie de la batterie (bon je devrais creuser car je n ai aucune idée de comment faire ça).
D'ailleurs ça me fait penser à autre chose. Dans le cas d une platine relais 5v (que je n utilise pas par manque de place), ce dernier est directement commander par la pin de l arduino ou cela passe par un composant intermédiaire intégré type mosfet?
Si c est le cas, c est peut être pour cela qu un relais peux s activer à 5v et se désactiver à 0v car ce n est qu un interrupteur double position finalement, me.trompes je ?
Bonsoir,
je continues sur le même topic. Je pense avoir bien compris les différences et montages MOSFET N et P mais maintenant je cherche à comprendre comment dimensionner les résistances entre la pin et la gate et entre la masse et la gate pour un mosfet P. J'essaie de comprendre en regardant différents tutos et data sheet mais ça m'échappe.
Y aurait il quelqu'un pour me simplifier un peu tout ceci?
Merci par avance.
Ces deux résistances ont le même rôle, que ce soit un MOSFET P ou N.
https://riton-duino.blogspot.com/2019/01/mosfets-de-puissance.html
Le transistor est piloté par une sortie du microcontrôleur à travers une résistance de 220Ω dont le but est de limiter le courant d'appel lors de la montée du signal sur la grille. Une résistance de pull-down de 100KΩ est câblée entre grille et source afin de ne pas laisser la grille en l'air dans le cas où la sortie du microcontrôleur est en haute impédance, au démarrage par exemple.
Sous 5V, 220Ω permet de limiter à 23mA le courant de gate.
Si tu augmentes la valeur de R tu augmentes le temps de réponse RC (C étant la capacité de grille).
100KΩ ou 10KΩ de pullup ou pulldown ne changeront pas grand chose.
En gros les calculs ne sont pas aussi importants qu'avec un bipolaire.
Bonsoir et merci !
Auriez vous des liens pour comprendre la façon de calculer ces resistances pojr ma culture et comprehension? Car j ai trouvé beaucoup de tutos sur les mosfet en general mais rien de particulier pour la partie resistances.
Merci
Voir ma précédente réponse.
La résistance de 220Ω est simple à calculer : il suffit de connaître le courant maximal que peut envoyer le microcontrôleur, ou quelle limite tu acceptes. Ensuite, R=U/I, comme disait monsieur Georg.
Une résistance de tirage PULLUP ou PULLDOWN ne se calcule pas. Si l'environnement est très pollué électromagnétiquement parlant, on peut adopter 10KΩ ou 1KΩ au lieu de 100KΩ. Dans le cas contraire 1MΩ peut très bien convenir.

